芯片制造过程中光刻和蚀刻的关系（芯片制造过程中光刻和蚀刻的关系是）

光刻机和刻蚀机的区别

刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。

“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。

“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。

扩展资料：

光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动

1.手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；

2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；

3.自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。

参考资料：百度百科-光刻机，百度百科-刻蚀

光刻和刻蚀有什么区别？

这两个词是半导体工艺中的重要步骤，需要配合剖面图讲解，最好自己找本半导体工艺的书看。

“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。

“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。

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光刻 \湿刻＼干法刻蚀有何不同

呵呵，我以前在半导体做了两年啊！懂一点点吧！

以前我在的是蚀刻区！半导体制蚀刻(Etching)

(三)蚀刻(Etching)

蚀刻的机制，按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个蚀刻，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部份。整个蚀刻的时间，等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长，整个蚀刻之快慢也卡在该者，故有所谓「reaction limited」与「diffusion limited」两类蚀刻之分。

1、湿蚀刻

最普遍、也是设备成本最低的蚀刻方法，其设备如图2-10所示。其影响被蚀刻物之蚀刻速率 (etching rate) 的因素有三：蚀刻液浓度、蚀刻液温度、及搅拌 (stirring) 之有无。定性而言，增加蚀刻温度与加入搅拌，均能有效提高蚀刻速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF蚀刻SiO2，当然比BOE (Buffered-Oxide- Etch；HF：NH4F =1：6) 快的多；但40%的KOH蚀刻Si的速率却比20%KOH慢！ 湿蚀刻的配方选用是一项化学的专业，对于一般不是这方面的研究人员，必须向该化学专业的同侪请教。一个选用湿蚀刻配方的重要观念是「选择性」(selectivity)，意指进行蚀刻时，对被蚀物去除速度与连带对其他材质 (如蚀刻掩膜；etching mask， 或承载被加工薄膜之基板；substrate ) 的腐蚀速度之比值。一个具有高选择性的蚀刻系统，应该只对被加工薄膜有腐蚀作用，而不伤及一旁之蚀刻掩膜或其下的基板材料。

(1)等向性蚀刻 (isotropic etching)

大部份的湿蚀刻液均是等向性，换言之，对蚀刻接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。故一旦定义好蚀刻掩膜的图案，暴露出来的区域，便是往下腐蚀的所在；只要蚀刻配方具高选择性，便应当止于所该止之深度。

然而有鉴于任何被蚀薄膜皆有其厚度，当其被蚀出某深度时，蚀刻掩膜图案边缘的部位渐与蚀刻液接触，故蚀刻液也开始对蚀刻掩膜图案边缘的底部，进行蚀掏，这就是所谓的下切或侧向侵蚀现象 (undercut)。该现象造成的图案侧向误差与被蚀薄膜厚度同数量级，换言之，湿蚀刻技术因之而无法应用在类似「次微米」线宽的精密制程技术！

(2)非等向性蚀刻 (anisotropic etching)

先前题到之湿蚀刻「选择性」观念，是以不同材料之受蚀快慢程度来说明。然而自1970年代起，在诸如Journal of Electro-Chemical Society等期刊中，发表了许多有关碱性或有机溶液腐蚀单晶硅的文章，其特点是不同的硅晶面腐蚀速率相差极大，尤其是111方向，足足比100或是110方向的腐蚀速率小一到两个数量级！因此，腐蚀速率最慢的晶面，往往便是腐蚀后留下的特定面。

这部份将在体型微细加工时再详述。

2、干蚀刻

干蚀刻是一类较新型，但迅速为半导体工业所采用的技术。其利用电浆 (plasma) 来进行半导体薄膜材料的蚀刻加工。其中电浆必须在真空度约10至0.001 Torr 的环境下，才有可能被激发出来；而干蚀刻采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，均能达成蚀刻的目的。

干蚀刻基本上包括「离子轰击」(ion-bombardment)与「化学反应」(chemical reaction) 两部份蚀刻机制。偏「离子轰击」效应者使用氩气(argon)，加工出来之边缘侧向侵蚀现象极微。而偏「化学反应」效应者则采氟系或氯系气体(如四氟化碳CF4)，经激发出来的电浆，即带有氟或氯之离子团，可快速与芯片表面材质反应。

干蚀刻法可直接利用光阻作蚀刻之阻绝遮幕，不必另行成长阻绝遮幕之半导体材料。而其最重要的优点，能兼顾边缘侧向侵蚀现象极微与高蚀刻率两种优点，换言之，本技术中所谓「活性离子蚀刻」(reactive ion etch；RIE) 已足敷「次微米」线宽制程技术的要求，而正被大量使用中。

光刻机和芯片有什么关系，为什么没有光刻机就制造不了芯片？

光刻机是制造芯片的基础。

其实，大多数人认为，芯片技术是综合性水平较高的技术，而光刻机就把“尖刀”，刺在心口，芯片是命，光刻机是防护的存在。但是，我国因为光刻机的限制，对于我们来说，没有光刻机，就警惕芯片带来的危机。那么，制造芯片制造难吗？光刻机和芯片有什么关系，为什么没有光刻机就制造不了芯片？

一款芯片成型，应用到设备中，需要经过多个步骤：设计、制造和封装以及测试。设计和制造是芯片的精髓所在，说设计，熟知的高通，苹果等科技公司实都是术语设计类的公司。通过EDA设计，必须提到的是，这款软件是我们芯片的软肋。设计上，华为能够做到符合设计的需求，关键在制造层次。芯片制造的步骤，更易理解芯片制造的困难程度。

将晶圆提炼出来，提炼出来的单晶硅，做成硅锭，再切割成数个圆片，这就是成为晶圆的东西；在晶圆上涂抹光刻胶是制约我们发展的因素。光刻胶，来自于日本和美国两大国家，特别是高端，涂胶显影机只有日本能够制造出来；在晶圆上涂抹光刻胶，通过光刻机的光源，使胶水固化，按照设计好的线路图，没线路图，晶圆固化固化线路图。遗憾的是，美国光源以及德国镜头组成了ASML的光刻机；蚀刻，我国蚀刻发展迅速。需要溶解多余的涂层。光刻胶已经固化，必须知道不需要的涂层也已经消失的痕迹；进入蚀刻，溶解不需的涂层，留下光刻，形成凹槽。注入离子元素，改变导电特性。

芯片的步骤中，缺乏光刻机。包括EDA相关的设计软件；日本美国的光刻胶，涂胶显影机，光刻机，以及离子注入机都是关键所在。