斯达半导体(国家博士后基金)

本文目录一览：

• 1、斯达半导体

• 2、国家博士后基金

• 3、斯达半导体股票

• 4、斯达半导体有限公司

（报告出品方/

1. 国产 IGBT 龙头，业绩长期高增长，技术业界领先

1.1. 发展历程：深耕 IGBT 领域 17 年，成就国产龙头

斯达半导成立于 2005 年，主营产品是 IGBT 模组，在全球市场占有率前十，国内第 一，是当之无愧的行业龙头企业。公司的发展可分为三个阶段：

创业阶段，坚持自主研发路。起初专攻于 IGBT 模块开发，于 2007 年便成功完 成 IGBT 模块关键技术工艺开发，成功推出第一款 IGBT 模块，并不断攻克 IGBT 模块核心技术难题。此后，为摆脱国外供应商依赖，实现核心芯片自主供应，公 司成功独立研发出了平面栅 NPT 型 IGBT 芯片，并于 2012 年实现量产。2015 年，公司实现营业收入 2.53 亿元。

快速成长，工控领域成龙头。2015 年，公司成功独立研发出了最新一代沟槽栅 场截止 FS-Trench 型 IGBT 芯片，与市场主流的进口芯片性能相当。2017 年，公 司 IGBT 模块市场份额首次进入全球前十，中国市场第一。2019 年，公司实现 营业收入 7.79 亿元。2015-2019 年，公司营收的复合增长率达到 32%。

技术领先，新能源创造辉煌。2020 年，公司作为 IGBT 概念龙头股在 A 股主板 上市。公司较早进入新能源汽车领域，受益于新能源汽车渗透率提升，公司新能 源业务营收持续增加，占比由 2018 年的 18.3%上升至 2021 年的 33.5%。公司基 于第七代微沟槽技术的新一代车规级 IGBT 芯片将于 2022 年批量供货，技术水 平在国内遥遥领先。同时，公司光伏 IGBT 产品也陆续进入主流逆变器厂商供应 名单。此外，公司于 2021 年定增 35 亿元，自建 SiC 和高压 IGBT 晶圆厂，为未 来持续发展打下坚实基础。2019-2021 年，公司营收的复合增长率达到 48%。（报告未来智库）

1.2. 高管团队背景突出，核心团队凝聚力强，经营业绩持续向好

股权结构稳定，实控人与公司利益深度绑定。公司实控人为沈华、胡畏夫妇，二人 通过斯达控股和香港斯达间接持有公司 41.77%股权，股权较为集中。公司董事长兼总经 理沈华于 1995 年获美国麻省理工学院材料学博士学位，曾任英飞凌高级研发工程师；副 总经理胡畏于 1994 年获美国斯坦福大学工程经济系统硕士学位。创始人具有国际化视野， 兼具技术研发和生产管理经验。

核心团队汇聚国际人才，技术背景丰富。副总经理汤艺拥有多年的 IGBT 芯片技术研 发及管理经验，负责公司 IGBT 芯片技术研发工作；副总经理戴志展拥有多年半导体元器 件设计及系统应用经验，负责公司产品测试和系统应用工作；研发部总监刘志红拥有丰富 的模块技术研发以及实践经验，负责公司模块封装技术研发工作；工艺部总监胡少华一直 从事模块制造工艺的开发工作，在模块制造工艺方面有丰富的行业经验和技术积累。核心 团队汇聚国际人才，浓厚的工程师文化助力公司形成领先的生产工艺及技术优势。

股权激励绑定核心员工，提升人才粘性。技术和人才是 IGBT 行业竞争的重要因素。 公司历来重视优秀人才，上市前已设立员工持股平台富瑞德投资，用于对骨干员工进行股 权激励，增强员工对公司德归属感，目前员工持股平台持有公司 5.09%股权。此外，公司 于 2021 年 4 月发布首期股权激励计划，以 134.67 元/股向 115 名技术（业务）骨干及管 理人员授予股票期权 65.5 万份。股权激励有利于公司凝聚人心，稳定核心团队，激发员 工的积极性，为公司的持续发展提供强劲动力。

公司经营情况持续向好，盈利能力稳定提升。公司营业收入自 2015 年始终保持较高 增速增长。2019 年受新能源汽车补贴退坡，下游需求疲软叠加产能瓶颈因素，公司营收 增速略有放缓；2020-2021 年，进口品牌受疫情影响交付周期拉长，公司加快客户导入节 奏，产能陆续释放，公司营收增速回升，2021 年营收更突破 17 亿元。凭借过硬的产品实 力和品牌口碑，公司获得较强的议价能力，盈利能力稳定提升，6 年间毛利率由 28.83% 提升至 36.73%，净利率由 4.69%提升至 23.40%。（报告未来智库）

1.3. 公司重视研发，核心技术不断突破，国内领先

重视研发投入，保持技术优势。IGBT 属技术密集型行业，且国内技术起步较晚，需 要大量的研发投入。公司高度重视研发工作，持续加大研发投入，研发费用率一直保持在 较高水平，确保公司保持技术领先优势。2021 年，公司研发费用达 1.1 亿元，同比增长 43.0%，占营收的比重为 6.5%。

国内率先实现第七代微沟槽技术量产，大幅领先市场。IGBT 的技术发展趋势为“小 尺寸、高功率、低损耗”，第七代微沟槽技术可实现面积减小 20%、芯片厚度从 120 微米 减少到 80 微米、导通压降从 1.7V 降到 1.4V，从而大幅提升 IGBT 的性价比。

第七代技术对工艺要求极高，芯片的减薄和背面工艺是核心。华虹半导体是国内唯一 拥有 IGBT 全套背面加工工艺的晶圆代工企业，包括背面薄片、背面离子注入、背面激光 退火、背面金属等。IGBT 领域设计与制造强耦合，通过与华虹的合作，公司于 2021 年 成功研发出基于第七代微沟槽 Trench Field Stop 技术的新一代车规级 650V/750V/1200V IGBT 芯片，并于 2022 年开始批量出货。在国内厂商仍以六代或以下技术为主的现状下， 第七代微沟槽 Trench Field Stop 技术将成为推动公司业绩增长的杀手锏。

2. 新能源业务发展势不可挡，助力公司业绩腾飞

2.1. 汽车电动化进程加速进行，车规 IGBT 迎来持续高增长

根据中汽协数据，2021 年我国新能源汽车销量大增达 352 万辆，同比增长 158%；新 能源汽车发展迎来拐点，渗透率超过 13.4%。同期，全球新能源汽车销量超 650 万辆。

技术突破驱动新能源汽车渗透率未来加速提升

我们认为，当前新能源汽车的发展已由政策驱动为主，转向由技术突破带来的市场驱 动为主。新能源汽车在综合经济性、外观造型、智能交互、驾乘体验等方面已经全面超越 燃油车。同时，针对新能源汽车存在的主要痛点，产业链上下游积极探索和尝试，高密度 电池、高压技术、超级混动等技术已逐渐成熟并取得应用。

2021 年，特斯拉发布 4680 电池，电池能量密度提高 5 倍，整体续航表现提升 16%， 每 kWh 价格降低 14%；比亚迪于 2021 年初推出混动 DM-i，可油可电续航最高可达 1200 公里，而亏电下油耗最低仅 3.8L/百公里，远低于传统燃油车油耗。2022 年 4 月，广汽埃 安发布首个超级充换电中心，充电站内配备 480kW 功率超充桩，匹配高压快充车型，充电 5 分钟即可获 200km 续航。随着产业链其他企业的加速跟进，短期内阻碍用户选择新 能源汽车的问题有望将逐步解决。

因此我们预计新能源汽车销量会持续高增长，到 2025 年中国新能源汽车出货量实现 1160.4 万辆。

新能源汽车渗透率提升+产品结构升级促进车规 IGBT 量价齐升

电驱动系统是新能源汽车的心脏，而 IGBT 作为其核心器件，可将直流电转为交流电 后驱动汽车电机，其成本占电机控制器约 40%。根据车型不同，单车 IGBT 价值在 800- 4000 元左右，当前平均价值预计 1800 元左右。

车规级 IGBT 未来五年 CAGR 有望达 40%+。当前电动车市场 A00 级车型占比约 27%，而乘用车整体市场 A00 级仅占 4%。随着新能源汽车技术日渐完善，A00 级“试水” 车型占比将逐渐下降，电动车销售结构未来必然向成熟市场演进，从而提高单车 IGBT 价 值。长远来看，SiC 模块有望在高端车型得到大规模应用，考虑到 SiC 模块价格是硅基IGBT 的 2 倍以上，未来车规级 IGBT 有望实现量价齐升。因此，考虑 A 级以上车型占比 提升和 SiC 模块渗透率提升带来的价格上涨，单车 IGBT 价值预估年均增加 5%，我们预 计到 2025 年国内车规级 IGBT 市场规模可达约 250 亿元，CAGR 超过 40%。（报告未来智库）

2.2. 车规 IGBT 产品实力构筑护城河，斯达演绎强者恒强

客户认证构筑护城河，强者恒强持续做大

国产车规 IGBT 龙头，行业领先。2021 年，公司在新能源汽车业务营收约 5 亿元， 2022 年 Q1 车规级 IGBT 市场占有率为 16.4%，仅次于英飞凌的 22.9%，是国内当之无 愧的龙头，领先其他国产品牌。

车规级 IGBT 壁垒极高，除了对产品的可靠性、安全性、稳定性等方面有严苛的要求， 下游企业的测试认证周期较长，导入时间通常需 1-2 年以上。公司率先在新能源汽车领域 积累了大量优质客户资源，产品性能得到终端用户的充分验证，使客户验证壁垒反而成为 公司的护城河。品牌和口碑的背书有利于公司持续开拓导入更多客户，巩固其龙头地位并 占据更多市场份额，提高潜在竞争对手进入该行业的壁垒，从而形成正向循环。

国产替代已成趋势，龙头充分受益。车规级 IGBT 门槛较高，当前进口厂商依然占据 国内近 4 成市场份额，且几乎垄断高端产品领域。区别于逻辑芯片，功率半导体的国产替 代机会大：新能源行业最大的市场和下游客户都在中国，国产替代具备天时地利人和的优 势；中美摩擦导致半导体人才回流，同时国家政策更加重视半导体人才培养；功率半导体 不参与先进制程竞技，投资门槛略低于逻辑芯片；功率半导体的材料和设备国产化难度相 对较低；新材料刚刚开始大规模产业化，国内追赶相对容易。公司作为国产 IGBT 龙头， 有望充分受益于国产替代红利。

产品结构优化，客户地位领先，未来增长可期

配套车型逐步升级，产品结构持续优化。公司车规级 IGBT 模块持续放量，配套车型 覆盖 A00 级到 B+级。就单车 IGBT 价值而言，A 级以下车型在 800 元左右，而 B+级车 型超过 3500 元。公司有望凭借先发优势和技术优势，有望逐步提高 A+级车型配套占比， 预计 2022 年将上升到 45%。2021 年，公司新增多个使用全 SiC MOSFET 模块的 800V 系 统的主电机控制器项目定点，而 SiC 模组的价格是同等硅基 IGBT 的 3-5 倍，SiC 模块布 局将对公司 2023-2029 年 SiC 模块销售增长提供持续推动力。公司产品结构不断丰富升 级，实现产品单价提升。

客户质量优异，未来增长可期。公司的核心客户包括汇川技术、上海电驱动、巨一动 力等电控领域 Top 10 主要玩家。汇川是国内电控 Tier1 龙头，市场占有率接近 10%；上 海电驱动和巨一动力则为新能源车电驱厂商。这几家电控厂商服务的客户包括宇通客车、 小鹏、理想、奇瑞、长城、广汽等，都是商用车/乘用车销量龙头，销量增长迅速。公司 手握优质下游客户资源，未来增长空间巨大。（报告未来智库）

2.3. 光伏发电快速发展，新项目导入助力公司业绩锦上添花

光伏行业未来高速发展，IGBT 复合增长率预期达 17.6%

IGBT 在光伏行业主要应用于光伏逆变器，占其价值量的 15%-20%。由于光伏发电 输出的电能不符合电网要求，需通过光伏逆变器将其整流成直流电，再逆变成符合电网要 求交流电后输入并网。IGBT 模块是光伏逆变器的核心器件，占逆变器价值量的 15%-20%。

光伏逆变器根据结构不同，主要分为组串式、集中式和集散式逆变器。其中，组串式 逆变器是将光伏组件的直流电通过多个逆变器进行交流转换后进行汇流，其模块化设计 体积小、重量轻，便于搬运安装，适用于中小型光伏发电站，根据中国光伏行业协会统计， 占据了 66.5%的市场份额；集中式逆变器采用大型逆变器将多个光伏直流电汇流后转化为 交流电，其逆变器数量少便于管理，功率密度大，常用于大型光伏发电站，占据 28.5%的 市场份额。

各国政策强推新能源，光伏行业前景光明。2021 年 10 月，国务院印发《2030 年前 碳达峰行动方案》，强调大力发展新能源。全面推进风电、太阳能发电大规模开发和高质 量发展，坚持集中式与分布式并举，加快建设风电和光伏发电基地。到 2030 年，风电、 太阳能发电总装机容量达到 12 亿千瓦以上。因此，光伏发电行业的迅速发展将成为 IGBT 模块行业持续增长的又一动力。2022 年 5 月欧盟委员会宣布 Repowereu 的能源计划，将 欧盟“减碳 55%”政策组合中 2030 年可再生能源总体目标从 40%提高到 45%，并建立专 门的欧盟太阳能战略，到 2030 年安装 600GW。

2025 年全球光伏逆变器用 IGBT 市场规模有望突破百亿元。根据中国光伏行业协会 预测，2025 年全球光伏逆变器新增装机量有望达到 330GW，假设替换装机量为十年前的 新增装机量。根据中国光伏行业协会 2020 年统计，组串式和集中式逆变器占比分别为 66.5%、28.5%（集散式占比小，暂不考虑进计算中），按照 IGBT 占组串式和集中式逆变器 BOM 成本的 18%和 15%计算，预计全球光伏逆变器用 IGBT 市场规模将以 17.6%的增 速扩大，2025 年市场规模将达 102.7 亿元。

布局早能力强，公司光伏业务增长可期

较早布局光伏赛道，产品快速放量。2015 年以来，随着新能源行业的大力发展，公 司产品已经进入了光伏发电行业。经过前期数年研发积累，公司产品得到市场认可，市场 需求增长较快。2020 年，公司自主 IGBT 芯片开发的适用于集中式光伏逆变器的大功率 模块系列和组串式逆变器的 Boost 及三电平模块系列市场份额进一步提高，自主 IGBT 芯 片开发的分立器件获行业内重点组串式光伏逆变器客户的批量装机应用；2021 年，公司 使用自主 650V/1200V IGBT 芯片以及配套快恢复二极管芯片的模块和分立器件在国内主 流光伏逆变器客户大批量装机应用；同时，公司继续布局宽禁带功率半导体器件，在光伏 等行业推出的各类 SiC 模块得到进一步的推广应用。

主要客户均为我国光伏龙头企业，国产替代空间巨大。光伏逆变器是一个竞争激烈 的市场，我国光伏企业依靠成本及全产业链制造优势，在全球市场中占据统治地位。据 Wood Mackenzie 统计，2020 年全球光伏逆变器销量排名前十的公司，其中 6 家来自中国， 包括华为、阳光电源等企业。公司已是国内多家头主流光伏逆变器客户的主要供应商，如与阳光电源已合作超过 10 年。下游客户受制于成本及供应链压力，进口替代需求迫切， 随着国产 IGBT 性能的不断提升，为公司带来巨大的国产替代空间。

公司在光伏逆变器市场已有成熟的解决方案。根据公司官网的光伏应用方案介绍， 针对集中式光伏逆变器，公司采用 P2 和 C6.1 系列产品，提供基于半桥拓扑结构的高可 靠性方案和灵活的并联方案；针对组串式光伏逆变器，公司提供基于 T 字形三电平和一 字型三电平的拓扑结构的两种解决方案。对于客户的个性化需求，公司还提供了基于 T 字 形三电平的拓扑结构的其他形式解决方案，可满足光伏行业的各类应用需求。（报告未来智库）

3. 布局 SiC 和高压 IGBT，延续业绩长期高增长

3.1. 第三代半导体应用广泛，带动 SiC 芯片市场崛起

SiC 是第三代宽禁带化合物半导体材料之一。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材 料为代表的化合物半导体，因其具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的电子饱和速度等优异性能，能够承受更高的电压、更高的热导率、更强的辐射。SiC 功率器件具有 高压、高频、耐高温、开关损耗小、导通电阻低等显著优势，可提高功率密度和效率，同 时有效降低能耗，减小体积，可广泛应用于高压高频高温及高可靠性等领域。

以汽车领域为例，SiC 功率模组在耐高压、低损耗、低综合成本三方面具有显著优势。 Sic 芯片作为目前主流的第三代半导体芯片，被广泛应用于新能源汽车等新兴高端行业市 场。SiC MOSFET 与 IGBT 方案相比，可以有效的提升新能源汽车持续续航能力、空间利 用等关键指标，同时还可以减小电机控制器的体积，以特斯拉为代表的部分中高端车型已 经开始使用 SiC MOSFET 方案。

1） 耐高压：800V 以上电压平台

为了提高充电速率，主流电动车电压平台在从 400V 向 800V 以上演进，但当前车规 级 IGBT 难以承受 800V 以上电压。受益于 SiC 材料宽禁带、高临界击穿电场等优异性能， SiC MOSFET 能满足 800V 以上电压平台的要求，将成为未来 800V 高压平台的标配。

2） 低损耗：低开关及导通损耗，电驱系统效率提升

SiC MOSFET 拥有更高的开关频率和下降的通态电阻，开关速度比硅基 IGBT 快，损 耗比硅基 IGBT 少。相同的行驶条件及行驶里程下，在配备 1200V SIC MOSFET 的 800 V 系统中，逆变器能耗降低了 69%，整车能耗降低了 7.6%。

3）低综合成本：提升车辆系统效率

单个 SiC 功率器件虽比硅等效器件成本更高，但使用 SiC 器件实则能节省系统成本。 需要更少的组件、更小的无源组件尺寸、更小的冷却系统、相同里程范围内更小的电池容 量以及更少的设计开发工作量，能耗的降低使得车辆系统效率提高，电池容量需求下降， 节约的电池成本超过了 SiC 器件增加的成本，从而使总系统成本降低 6%。

SiC 市场快速崛起，市场规模将迅速成长。得益于 SiC 材料的性能优势，下游应用场 景丰富，主要包含 EV、快充桩、UPS 电源（通信）、光伏、轨道交通以及航天军工等领 域，其中新能源汽车行业有望迎来快速爆发，通信、光伏等市场空间较大。目前 SiC 功率 器件主要定位于功率在 1kW-500kW 间、工作频率在 10KHz~100MHz 间的场景，特别是 一些对能量效率和空间尺寸要求较高的应用，如新能源汽车、光伏微型逆变器、电力牵引、 智能电网、电源等领域，可取代部分硅基 MOSFET 与 IGBT。据 Yole 统计，2021 年 SiC 功率半导体市场规模达 10.90 亿美元，预计到 2027 年将增长至 62.97 亿美元，2021-2027 年复合增速高达 34%。

3.2. 智能电网、轨交、风电行业快速发展，高压 IGBT 需求持续上升

高压 IGBT（＞1700V）广泛用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端。在 发电端，风整流器和逆变器都需要使用 IGBT 模块；在输电端，特高压直流输电中 FACTS 柔性输电技术需要大量使用IGBT等功率器件；在变电端，IGBT 是电力电子变压器（PET） 的关键器件。目前国内柔性直流输电用 3300V 和 4500V 高压 IGBT 基本依赖进口，亟需 发展国产高压 IGBT 器件，支撑国家重大装备和重点工程的发展。

高压 IGBT 有望受益于我国轨道交通持续快速发展。轨道交通用 IGBT 的电压等级 一般为 1200~6500V，其中干线铁路主型器件一般采用 3300V、4500V 及 6500V 电压等级的 IGBT 模块。高压 IGBT 是轨交列车“牵引变流器”的核心功率器件，主变流器特殊的 负载特性和复杂的运行环境，所使用的 IGBT 需承受极端的温度和剧烈的机械冲击，且 动、静态特性与可靠性要求更高，其温度循环寿命和功率循环寿命一般是普通工业级 IGBT 的 10 倍。绿色交通大背景下，我国城市轨道交通正步入稳定发展阶段，据交通运 输部数据，2021 年我国新增城市轨道交通线路 35 条，新增运营里程 1168 公里，同比增 长 15%。

风电在电力生产结构中的占比逐年上升，为高压 IGBT 带来增量需求。“十三五” 以来，我国海上风电快速发展，已成为仅次于英国和德国的世界第三大海上风电国家，未 来仍将继续保持快速发展。目前风电的风机功率等级主要以 2-7MW 为主，未来将达到 10- 20MW，风机向着更高功率等级的发展势必会带来 3300V 和 4500V 等高压 IGBT 器件的 需求。同时，大陆风电增速受 IGBT 器件进口受限影响，高压 IGBT 作为风电变流器的核 心功率器件，亟需完成国产替代。（报告未来智库）

3.3. 前瞻布局 SiC 和高压 IGBT，推动国产替代步伐

募资 35 亿元加码 SiC 和高压 IGBT。2021 年 9 月，公司宣布定增申请获证监会 审核通过，将募资 35 亿元用于 SiC 芯片、高压 IGBT 的研发及生产。募投项目达产 后预计将新增年产 6 万片 6 英寸 SiC 芯片、年产 30 万片 6 英寸高压 IGBT 芯片、年 产 400 万片 IGBT 模块的产能，持续扩大以 IGBT 模块、SiC 模块为代表的功率半导 体模块产能，稳固公司龙头地位。

加快技术突破，打破国外垄断格局。公司本次募资布局 SiC，有助于加快我国第三代 半导体功率器件的技术突破，抓住行业新材料升级机遇，打破国外龙头企业垄断格局，改 变当前关键元器件严重进口依赖的局面，推动 SiC 芯片国产化进程。公司积极布局宽禁 带功率半导体器件，对机车牵引辅助供电系统推出了低电感 SiC 模块；在新能源汽车领 域推出了低损耗车用 SiC 模块；在光伏领域推出了混合 SiC 模块。

把握新能源汽车市场机遇，打开未来增长空间。2021 年，公司车规级 SiC 模块已获 国内外多家著名车企和 Tier1 客户的项目定点，本次募投项目量产后，公司将拥有自研车 规级 SiC MOSFET 模块，迅速拓展新能源汽车市场份额，为公司业绩持续增长打下扎实 基础。

丰富公司产品矩阵，全面提升核心竞争力。公司本次募资布局高压 IGBT，可满足智 能电网、轨道交通、风力发电行业高压功率芯片的需求，丰富公司产品线。同时，加快我 国高压 IGBT 芯片的技术突破，实现高压功率器件的国产化替代，为后续发展储备坚实动 能。

4. 传统工控需求稳定，支撑 IGBT 稳定增长

4.1. 工控领域广泛应用，IGBT 需求稳中有进

IGBT 在工控领域应用广泛，是变频器、逆变焊机等传统工控及电源行业的核心器件。 作为电力电子行业的“CPU”，IGBT 能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电 压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的。比如在变频器中，IGBT 模块不仅起 到传统的三极管的作用，亦包含了整流部分的作用，控制器产生的正弦波信号通过光藕隔 离后进入 IGBT，IGBT 再根据信号的变化将 380V（220V）整流后的直流电再次转化为交 流电输出。

工控领域功率器件需求相对稳定，预计未来 5 年 CAGR 有望保持 8％以上。近年来 我国变频器和电焊机市场规模总体呈上升态势，未来随应用领域扩展仍将保持稳定增长。 据前瞻产业研究院预测，2025 年我国高压变频器市场规模将达到 212 亿元，2020-2025 年 均复合增速为 8.5%。据华经产业研究院统计，2020 年我国电焊机产量达 1108.93 万台， 同比增长 16.7%。下游需求量稳定增长保证 IGBT 规模逐步增大。因此工控领域未来 5 年 复合增长率有望保持 8%以上。（报告未来智库）

4.2. 先发优势明显，公司业绩稳定增长

深耕工控领域 17 年，产品矩阵完善。公司最早切入工业控制及电源行业，工控业 务收入占比始终保持最高，2021 年工控业务收入 10.6 亿元，同比增长 50.6%。经历了早 期的市场开拓后，目前已经为少数实现 IGBT 大规模生产的国内企业之一，是国内多家知 名工控企业的主要 IGBT 模块供应商。在变频器领域，公司目前已经成为汇川技术、英威 腾等知名企业 IGBT 模块主要供应商。在逆变电焊机领域，公司是少数可以提供适合于 不同种类电焊机的多系列 IGBT 模块的供应商。

客户加速导入，市场份额扩大。IGBT 是工控领域的核心器件，一旦出现问题将给下 游企业带来较大损失，替代成本较高，因此认证周期较长，国内其他企业进入市场需要面 临长期较大的资金投入和市场开发的困难。随着标杆客户合作案例的积累，公司依托于标 杆客户产生的口碑和市场效应向业内其他客户拓展，进一步扩大市场份额。随着公司生产 规模的扩大，自主芯片的批量导入，在供货稳定性上的优势会进一步巩固。

受国产替代需求驱动，工控业务收入增速高于下 *** 业增速。公司作为国内 IGBT 龙 头，不仅有先进的模块设计制造工艺，更实现了 IGBT 芯片国产化，完全具备替代进口 IGBT 模块的能力。随着汇川技术、英威腾等国内企业影响力逐渐形成，对核心器件国产 化的需求愈加强烈，有利于公司拓展国内 IGBT 市场，未来业绩稳定增长可期。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

精选报告【未来智库】。未来智库 - 官方网站

【郑州大学】

近日，中国博士后科学基金第71批面上资助拟资助人员名单公布，共有3882名拟资助人员入选。郑州大学入选人数创历史新高，共有67人上榜，入选人数排名全国第8。

中国博士后科学基金是专门用于资助在站博士后科学研究的基金，旨在促使具有发展潜力和创新能力的优秀博士后进行创新研究，培养造就一支跨学科、具有复合型和战略性特点的博士后人才队伍。面上资助是给予博士后研究人员在站期间从事自主创新研究的科研启动或补充经费，每年可申请两次。

近年来，郑州大学在中国博士后科学基金获资的数量稳步攀升，各类项目获批数量均位居全国前列。博士后科研人员是科技创新的生力军，学校高度重视博士后队伍的建设与发展，实施博士后“求是计划”，丰富和完善博士后类型，对博士后进行分类培养。学校坚持以立德树人为根本、以质量贡献为导向、以求是创新为突破，坚持“破四唯”和“立新标”并举，在建设创新型一流大学的实践中去发现人才、培养人才、汇聚人才，聚天下英才而用之。

郑州大学将继续优化博士后培养方式，实现博士后提质增量，多措并举支持博士后发展，进一步激发博士后队伍的活力和创造力，助力世界一流大学建设。

声明：此文版权归原作者所有，若有来源错误或者侵犯您的合法权益，您可通过邮箱与我们取得联系，我们将及时进行处理。邮箱地址：jpbl@jp.jiupainews.com

斯达半导体股票

今天我们来聊一聊半导体及元件18只十倍大牛股！

图片来源于网上

1、 北方华创：主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

2、 韦尔股份：一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司，主营产品包括保护器件、功率器件、电源管理器件、模拟开关等四条产品线。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

3、 紫光国微：国内最大的集成电路设计上市公司之一，以智慧芯片为核心，聚焦数字安全、智能计算、功率与电源管理、高可靠集成电路等业务，是领先的芯片产品和解决方案提供商。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

4、 兆易创新：一家以中国为总部的全球化芯片设计公司，致力于各类存储器、控制器及周边产品的设计研发。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

5、 士兰微：专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，主要产品是集成电路和半导体产品。

图片来源于网上

十倍股记忆走势图

6、 圣邦股份：是一家专注于高性能、高品质模拟集成电路研发和销售的半导体公司，圣邦股份的通用模拟IC产品性能优良、品质卓越，可广泛应用于智能手机、PAD、数字电视、DVD、数码相机、笔记本电脑、可穿戴式设备、各种消费类电子产品以及车载电子、工业控制、医疗设备、测试仪表等众多领域。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

7、 卓胜微：专注于射频集成电路领域的研究、开发与销售，主要向市场提供射频开关、射频低噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器等射频前端分立器件及各类模组产品，同时公司还对外提供低功耗蓝牙微控制器芯片。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

8、 深南电路：专注电子互联领域，坚持客户导向、技术驱动，以互联为核心，在强化印制电路板领先地位的同时，大力发展“技术同根”的封装基板及“客户同源”的电子装联，通过开展方案设计、制造、电子装联、微组装和测试等全价值链服务，凭借一站式的解决方案、高中端的产品结构、专业的产品开发及制造技术、稳定的质量表现与完善的管理体系，逐步成长为世界级电子电路技术与解决方案集成商。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

9、 长电科技：长电科技提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试，并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

10、 扬杰科技：国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。产品线含盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等，为客户提供一揽子产品解决方案。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

11、 斯达半导: 专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业,国内IGBT领域的领军企业。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

12、 沪电股份: 立足于印制电路板的研发设计和生产制造，专注执行既定的“聚焦PCB主业、精益求精”的稳定成长战略,主导产品广泛应用于通讯设备、汽车、工业设备、数据中心、网通、微波射频、半导体芯片测试等多个领域。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

13、 立昂微: 专注于集成电路用半导体材料、半导体功率芯片、集成电路芯片设计、开发、制造、销售的高新技术企业。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

14、 华天科技：从事半导体集成电路、半导体元器件的封装测试业务。作为全球半导体封测知名企业，华天科技为客户提供封装设计、封装仿真、引线框封装、基板封装、晶圆级封装、晶圆测试及功能测试、 物流配送等一站式服务。凭借先进的技术能力，系统级生产和质量把控，已成为半导体封测业务首选品牌。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

15、 汇顶科技：一家基于芯片设计和软件开发的整体应用解决方案提供商，目前主要面向智能终端、物联网及汽车电子领域提供领先的半导体软硬件解决方案。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

16、 通富微电：专业从事集成电路封装测试，本土半导体跨国集团公司、中国集成电路封装测试领军企业。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

17、 富瀚微：以视频为核心的专业安防、智能硬件、汽车电子领域芯片的设计开发，为客户提供高性能视频编解码SOC芯片、图像信号处理器ISP芯片及完整的产品解决方案，以及提供技术开发、IC设计等专业技术服务。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

18、 风华高科：致力于成为世界一流的电子元器件整合配套供应商及解决方案提供商，产品包括MLCC、片阻、片感、敏感元件、电子材料、电源模块、芯片封装等数十种，广泛应用于通讯类、消费类、计算机类、汽车电子类、照明电器等行业。

图片来源于网上

十倍牛股记忆走势图

以上是我的一点个人观点，个股排名不分先后，也不能囊括所有，不构成投资建议，欢迎朋友们留言区评论交流！

集微网报道，嘉兴斯达半导体股份有限公司（证券简称：斯达半导，证券代码：603290）成立于2005年4月，于2020年2月在上交所主板上市，是国内首批IGBT公司，十几年来始终专注于以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计、研发和生产，在技术上不断追赶海外先进厂商。根据Omdia（原IHS）最新报告，公司2020年度IGBT模块的全球市场份额占有率国际排名第6位，在中国企业中排名第1位。公司总部位于浙江嘉兴，在上海和欧洲设有子公司，在国内和欧洲均设有研发中心。

斯达半导靠IGBT 模块封装起家，而后自研IGBT芯片，目前技术已经在国内遥遥领先。公司最初采用外购进口芯片封装成IGBT模块，2012年公司研发出第一代自研芯片NPT型IGBT芯片，2015年公司对标英飞凌主流第四代IGBT芯片的FS-Trench芯片成功研发，并于2016年实现量产。截至目前，公司已经成功研发出全系列的IGBT芯片和FRD芯片，并且均已实现量产。目前对外采购的IGBT芯片和FRD芯片均能够被自主研发设计的芯片替代。

图1：斯达半导发展历史简图

资料公司历年公告

斯达半岛董事长沈华先生毕业于美国麻省理工学院，1995年获得材料学博士学位，曾任英飞凌高级研发工程师、XILINX公司高级项目经理。核心技术团队拥有美国国际整流器公司等国际领先企业任职经历。胡畏女士是公司创始人兼董事、副总经理，于1994年获美国斯坦福大学工程经济系统硕士学位，1994年至 1995年任美国汉密尔顿证券商业分析师，1995年至 2001年任美国 Providian Financial 公司市场总监、执行高级副总裁助理、公司战略策划部经理。此外，子公司斯达欧洲总经理 Peter Frey 曾在赛米控任职多年，创始人团队拥有丰富的从业经历。公司实控人为沈华、胡畏夫妇，持股比例较高，控制权稳固，截至2022年Q1公告显示，二人通过斯达控股及香港斯达间接持有公司41.77%的股权，浙江兴得利为公司第二大股东，持股比例为13.99%。

斯达半导股权结构示意图

目前，斯达半导拥有 6 家子公司，其中，上海道之科技有限公司主要进行新能源汽车 IGBT 模块的生产与销售；嘉兴斯达微电子主要负责半导体芯片、电子元器件的设计、生产销售和经营进出口业务（不含进口商品分销业务）。

斯达半导主要对外投资企业情况

功率芯片是半导体中最基础的一类产品，直接利用的是晶体管的开关作用，通过多个功率开关组合（注：有时候还有电阻电感等器件配合）形成拓扑电路，来实现对功率也就是电压电流的控制，最终呈现调速、调频、整流、变压等等功能。简单总结，功率半导体就是转换并控制电力的功率半导体器件。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的全控-电压驱动的功率半导体，IGBT 既有MOSFET的开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等 方面是其他功率器件不能比拟的，因而是电力电子领域较为理想的开关器件，也被誉为“电力电子器件里的 CPU”。公司从事的 IGBT 是功率半导体新一代典型产品。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率分立器件的演进路径基本为二极管→晶闸管→MOSFET→IGBT，其中，斯达半导的主营产品IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。

图4：功率半导体在半导体领域中的位置及产品分类

资料芯导科技招股说明书

FS-Trench是目前车规领域应用最广泛的IGBT芯片结构。从20世纪80年代至今，IGBT 芯片经历了多代升级，从平面穿通型（PT）到沟槽型电场-截止型（FS-Trench），芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到6500V以上。2015 年，斯达半导成功研发出 FS-Trench 型 IGBT 芯片，与英飞凌主流第四代芯片性能相当，并于2016年底实现量产。公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块开始大批量配套海内外市场，2021年，公司基于第七代微沟槽 Trench Field Stop 技术的新一代车规级 650V/750V IGBT 芯片研发成功，预计2022 年开始批量供货。

图5 斯达半导2021年产品研发情况

斯达半导产品生产环节主要分为芯片和模块设计、芯片外协制造、模块生产三个阶段。

阶段一：芯片和模块设计。公司产品设计包含IGBT芯片、快恢复二极管等功率芯片的设计和功率模块的设计。本阶段公司根据客户对功率芯片关键参数的需求，设计出符合客户性能要求的芯片；根据客户对电路拓扑及模块结构的要求，结合功率模块的电性能以及可靠性标准，设计出满足各行业性能要求的功率模块。

阶段二：芯片外协制造。公司根据阶段一完成的芯片设计方案委托第三方晶圆代工厂如上海华虹、上海先进等外协厂商外协制造自主研发的芯片，公司在外协制造过程中提供芯片设计图纸和工艺制作流程，不承担芯片制造环节。公司与华虹半导体和上海先进（积塔半导体）合作紧密，是华虹与先进 IGBT 重要大客户。目前公司光伏领域在手订单是现有产能的数倍之多，伴随华虹和先进新增产能释放，公司光伏领域收入有望快速增长。

（华虹12吋线产能持续扩充，2022年月产能预计增加34.5K片。2020年华虹半导体将8吋IGBT技术导入12吋生产线，成为全球首家同时在8吋和12吋生产线量产先进型沟槽栅电场截止型 IGBT 的纯晶圆代工企业。华虹半导体“8 吋+12 吋”四个工厂均通过 IATF 16949 汽车质量管理体系认证。2022 年华虹半导体12吋线月产能计划将扩充至94.5K片，较2021Q4增加34.5K 片，同比+57.50%，预计将于2022Q4逐步释放，其中功率半导体代工产能亦有所增长。）

阶段三：模块生产。模块生产是应用模块原理，将单个或多个如IGBT芯片、快恢复二极管等功率芯片用先进的封装技术封装在一个绝缘外壳内的过程。由于模块外形尺寸和安装尺寸的标准化及芯片间的连接已在模块内部完成，因此和同容量的器件相比，具有体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好等优点。本阶段公司根据不同产品需要采购相应的芯片、DBC、散热基板等原材料，通过芯片贴片、回流焊接、铝线键合、测试等生产环节，最终生产出符合公司标准的功率模块。公司主要产品IGBT模块集成度高，内部拓扑结构复杂，又需要在高电压、大电流、高温、高湿等恶劣环境中运行，对公司设计能力和生产工艺控制水平要求高。

此外，2021年斯达半导宣布拟通过增发方式募集35亿元，用于自建晶圆生产线，布局新能源市场。其中，拟投资15亿元，建设高压特色工艺功率芯片生产线，达产后预计将形成年产30万片6吋高压特色工艺功率芯片的生产能力；拟投资5亿元自建晶圆生产线，开展SiC芯片的研发和产业化，项目达产后，预计将形成年产6万片6吋SiC芯片生产能力。

图6：公司拟自建晶圆产线项目情况

在核心技术方面，该公司自成立以来一直以技术发展和产品质量为公司之根本，在 IGBT领域持续深耕，具备深厚的技术成果积淀，且核心技术均为自主研发创新，具备独立自主的知识产权。经过多年的技术经验积累，公司已成功申请了 99项专利，包括 28 项发明，自主掌握了IGBT芯片和 FRD 芯片、大中小功率模块、车用模块、SiC 模块的多项核心技术。

图7：公司核心技术情况列表

斯达半导产品进入国内领先的工控变频、新能源汽车电驱厂商，公司工控级客户包括英威腾、汇川技术、众辰电子等专业的变频器生产厂商；车规级客户是以合肥巨一动力和上海电驱动为主的新能源汽车电驱厂商，合肥巨一动力的电驱终端客户包括奇瑞、江淮、云度等国产整车厂商以及广汽本田、江淮大众等合资车厂，上海电驱动产品覆盖30-200KW系列化电驱产品，客户包括一汽、奇瑞、长安、上汽、宇通等众多国内整车厂，以及雷诺、通用、伊顿等海外客户。

图8：斯达半导主要产品和其应用领域

得益于 IGBT 市场规模的持续增长以及公司行业地位和市场份额的提升，近年来公司的营收和归母净利润均保持快速增长， 且净利润增速高于营收增速。2020年实现收入9.63亿元，净利润为1.81亿元。2021年在全球缺芯的大环境下，公司营收大幅扩张，整体实现营收17.07亿元，同比增长77%，实现净利润3.99亿元。2022Q1公司实现收入5.42亿元，同比+66.96%，环比+6.27pct；实现归母净利润1.51亿元，同比+101.54%，环比+14.39pct，公司所处IGBT赛道高景气度维系。

图9：公司2018-2022Q1营收和净利润水平（单位：万元）

从营收结构上来看，IGBT模块是斯达半导核心产品，贡献了绝大多数的营收。2021年报告期内，公司继续保持以IGBT模块为主的产品结构，IGBT模块营业收入1.6亿元，同比上升74.99%，占主营业务收入的94.05%。公司模块生产量较上年增长70.67%，销售量较上年增长67.85%。公司产品库存量较低且多为客户预定订单，产品景气度高，产业链话语权较强。从下游应用领域来看，其中工控占比最大，但随着新能源领域的营收快速增长，工控占比逐渐下降。新能源作为未来主要发力方向，占比从 2016年的 11.97% 明显提升至 2021 年的25.56%，公司已成功跻身于国内汽车级 IGBT模块的主要供应商之列。

图10：公司的产品产销情况

IGBT的高门槛所带来的产品附加值，让斯达半导的毛利率水平在国内同行中领先，尽管与国际巨头英飞凌仍存在一定差距，但是一直保持稳中有升的态势。2022年第一季度，公司的毛利率已提升至 40.81%，相比 2021年增加了4.04pct。这主要是源于斯达半导自研 IGBT芯片比例提升和产销规模扩大带来的生产成本降低以及在新能源汽车领域销售额及占比提升带来的产品结构变化。

在费用端，虽然费用规模在逐年增长，但是随着管理效率的提升以及营收的快速增长，公司的期间费用率在不断降低，从2016 年至 2022Q1下降比例过半。2022年Q1，公司的销售费用率、管理费用率、财务费用率、研发费用率分别为 1.02%、8.96%、-1.70%、6.51%，较同行业可比公司相对较低。 在毛利率和期间费用率的持续优化下，公司的净利率也得以持续攀升，显著高于同行。

图11：斯达半导毛利率和净利率水平表现

图12：斯达半导三费费率和研发费用率情况表现

IGBT门槛较高，长期以来中高端产品生产厂商主要集中在欧洲、美国和日本地区，主要由英飞凌、三菱、富士电机等海外企业垄断。过去十年，凭借优秀的产品性能，英飞凌在中国区收入比重从15%左右提升到现在的接近40%，成为其最大的收入来源地。而英飞凌实现的这一惊人数字，靠的却是极少的本地化，其在中国的资产（注：可以简单理解为厂房和产能）占比仅仅1%，员工人数占比也将将5%。2020年，海外大厂贡献了全球约80%以上的产能，而国内厂商IGBT有效晶圆产能约5~6万片/月（等效8英寸），份额不足20%。但是2021年，国内晶圆代工厂（华虹半导体、中芯国际、积塔半导体等）和IDM厂商（士兰微、华润微、比亚迪半导体、时代电气等）整体扩建意愿积极。

图13:2020年全球IGBT产能分布情况

长期以来，IGBT 市场一直被英飞凌、三菱、富士电机、安森美等少数供应商所垄断，2020年年底以来，全球缺芯问题不断突出，晶圆制造产能不足，2021年IGBT产品的交货期也持续拉长，且在Q3仍未出现缓解的现象，英飞凌、安森美部分IGBT产品的货期已经延长至39-52周，这一定程度上给了国产IGBT快速进入整车供应链的机会。

图14：IGBT龙头厂商2021Q1-2021Q3产品交付周期

“缺货”只是疫情引起的短期供需失衡造成的边际挤压，而功率半导体（尤其是IGBT）的短缺，折射出中国工业的供应链硬伤。因为功率半导体扮演的是精密管控电力的角色，因此是大量工业设备、家电、汽车、高铁等等中的核心零部件，可以说，如果没有高效的功率半导体，大量的装备都会停滞。

当前，国内企业开始走上自主研发的道路，目前在下游的应用当中，中压IGBT和IGBT模块最具有投资价值。英飞凌作为全球IGBT龙头企业，产品技术的发展路径可以被国内企业更好的对标，目前英飞凌产品已经迭代到第七代，中国本土厂商进场较晚，但与国际产品的差距正在逐渐缩小，其中斯达半导已经成为国际前十的IGBT模块厂商，产品品类丰富。

由于IGBT和下游应用结合紧密，研发人员往往需要对下游应用行业较为了解才能生产出符合客户要求的产品，因此应用和系统的理解能力很大程度上取决于上下游的协同紧密程度。比亚迪通过自建芯片并供给自身整车厂使用来积累系统应用know-how；时代电气很早就收购了英国dynex，吸收其技术，在轨交市场核心器件和系统应用同事发力，并将制造高铁IGBT的经验转移至汽车上，建成国内首条8英寸车规级IGBT芯片生产线并布局电驱产品；斯达半导择时通过汇川技术、上海电驱动之类的第三方渠道熟悉下游应用环境，产业协同助力提高产品品质同时降低成本。

图15：国内IGBT厂商在车载应用方面的技术进展

图16：斯达半导的主要竞争对手分析情况

下游的需求增加有力的促进了半导体领域IGBT的增长，新能源汽车是中国IGBT下游最大的需求方，占比接近31%，因而车规级IGBT可能成为IGBT最大的下游市场。根据中国汽车工程学会编制的《节能与新能源技术路线图2.0》，到2025年我国新能源汽车在新车销量中渗透率将达到20%，而实际上中国汽车工业协会统计的数据表明，2021年我国新能源汽车整体销量为350.72万辆，同比增长165.10%，渗透率从2020年的6.17%大幅提升至2021年17.42%，远远超出官方给出的发展规划指引。此外根据中汽协预测，2025（渗透率30%左右）年我国汽车销量有望达3000万辆，届时我国新能源汽车销量预计达900-1000万辆，而到了2035年估计占比一半以上。

图17：新能源汽车2014-2021整体渗透率

新能源汽车当中，IGBT模块是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心器件，相较于工业控制领域，车规级IGBT对芯片和模块可靠性的要求更高，车规级半导体的工作温度为-40到155度，温度范围大于消费电子，同时要承受高振动、电磁干扰等恶劣环境，因此有更长的使用寿命和行驶里程要求，对安全性要求极高。IGBT模块供应商为进入客户的供应链体系，不仅需要综合评定供应商的实力，还会评估供应商的上游供应商，因此会有较长的产品测试认证、试用、失效分析，在确保安全性、可靠性等必备要求的基础上才有望大批量放量，转换成本极高，因此客户认证为企业竞争的核心要素。

根据斯达半导招股书显示，IGBT约占新能源汽车电控系统成本的37%，是电控系统中最核心的电子器件之一。新能源汽车的动力性能越好，所需要的IGBT组件数量也就越多。一般来说，A00-A0级别（电机输出功率20-55kW）的微型车的主驱IGBT价值量在650元左右，A级轿车、紧凑型SUV新能源车（电机输出功率100-250kW）的主驱IGBT价值量在1300元左右，而B级轿车、中大型SUV（电机输出功率150-400kW）的价值量可以达到2275元以上。

图18：IGBT在各品类新能源车里的价值量

而根据2020年新能源汽车的销售结构，单车主驱你变IGBT的价值量平均约为1430元，以此为假设，2020年全球新能源车用IGBT市场约为44.7亿元，到了2025年，若全球的新能源汽车销量达到1200万辆，届时全球新能源车用主驱逆变IGBT市场可以达到170.6亿元，CAGR达到30.86%。因此，在国际功率大厂交付期拉长的大环境下，可以预见在电动车渗透率和单位车辆IGBT价值量提升的基础上，斯达半导的赛道景气度整体还是比较旺盛的。

图19：全球车规级IGBT芯片市场估计

另一个IGBT的增量市场则来自于全球光伏风电装机容量的快速发展。光伏和风力发电机发出的电能需要通过光伏逆变器/风力发电逆变器整流成直流电，再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。逆变器是整个新能源发电系统的关键组件，而其中IGBT模块是逆变器的核心器件。2021年全球光伏新增装机量达到160GW，我国新增装机量达到60GW。2020年光伏逆变器的成本约为0.165元/W，IGBT模块约占逆变器成本的9%左右，因此推算2021年IGBT模块在光伏领域的全球市场规模约为21.6亿元。未来随着光伏新增装机量的不断提升，光伏逆变IGBT的市场也将不断成长。

整体来看，目前斯达半导现有产品已经实现了中低压IGBT模块全覆盖，未来将利用公司第七代FS Trench芯片平台和大功率模块生产平台，发力3300V-6500V高压IGBT的研发和产业化。公司当前聚焦的主赛道为车规级应用领域，长期来看，新能源车A00-A0级别市场占比将逐渐下降，A级以上市场占比将持续提升。然而根据市场推算未来几年车规级IGBT应用规模和光伏级应用规模合计200亿左右的市场规模能够承载斯达半导600亿的市值吗？但是在中美贸易摩擦、中兴华为事件的警钟下，当前复杂而严峻的国际形势促使产业链下游相关行业客户充分意识到供应链安全和自主可控的重要性，叠加成本因素的考虑，国内功率半导体厂商被赋予了更多机会。鉴于 IGBT产品技术迭代没那么快，也不要求先进制程，这给了国内厂商充分的时间去追赶国际先进水平，国内厂商可通过跨代际研发加速缩短与国际巨头的技术和产品差距，未来有望迎来发展的黄金时期。

(校对/在野)

今天的内容先分享到这里了，读完本文《斯达半导体》之后，是否是您想找的答案呢？想要了解更多斯达半导体、国家博士后基金相关的财经新闻请继续关注本站，是给小编最大的鼓励。