中国自研芯片光刻机2020最新进展视频（中国突破芯片光刻机）

芯片制造专用的前道国产光刻机现在进展情况如何了？是不是连28NM都没有突破？

最近半导体领域之中传来了两个好消息，首先就是华为旗下的哈勃投资了北京科益虹源光电技术公司，并且成为了这家企业的第七大股东。北京科益虹源主营业务是光源系统，而光源系统就是制造光刻机的核心技术之一。同时，北京科益虹源也是全球第三家193纳米ARF准备分子激光器企业。

第二个好消息是，国产光刻机巨头上海微电子目前已经表示，新一代的光刻机会在今年年底或者是明年年初实现量产，而在光源系统之中，采用了与阿斯麦DUV光刻机一样的光源技术，波长突破了193纳米。这就意味着国产代工企业将在今年或者是明年年底就能够实现7纳米工艺的代工水平，并且是在没有阿斯麦光刻机的情况之下。

可以说光刻机领域之中接连传来这两个好消息，对于我们而言，对于国产芯片未来的发展而言，起到了一定推促的促进作用，毕竟一直以来在光刻机领域之中，荷兰的阿斯麦占据绝对的垄断地位，尤其是在极紫外光刻机领域之中，更是处于绝对垄断的地位。

而国内在芯片上的短板就是因为缺少极紫外光刻机，所以导致中国企业没有办法生产出7纳米以及5纳米这样先进制程工艺的芯片。2018年，中芯国际曾经从阿斯麦买订购过一台euv光刻机，但是说到瓦森纳协定的影响，阿斯麦至今都没有出货这台EUV光刻机

后面中兴以及华为的限制使得国内科技企业自主研发的意识被彻底唤醒，于是在这样的情况之下，所有的国内厂商将希望全部中寄托在了中国光刻机企业身上。为了解决这一难题，华为在第一时间就宣布扎根半导体领域，另外，中科院也宣布入局光刻机，并且将光刻机变成科研清单。

好在伴随着时间的推移，如今一个又一个的好消息传来。关于光刻机的两个好消息传来，意味着中国心再次迎来了春天。而这对于阿斯麦来讲当然不是什么好事情。

北大教授曾经说过这样一句话，如果中国依旧拿不到阿斯麦的光刻机，那么在三年之后，中国就将会掌握这项技术，并且一旦中国掌握了这项技术，那么其生产的产本成本一定比任何一个国家都要便宜。

北大教授的这一番话，可以说对于阿斯麦来讲，更是一个重磅炸弹，失去中国市场的阿斯买强会面临地位的威胁，如今日本的尼康以及佳能正在不断崛起，挑战这阿斯麦所在的地位，如果中国真的掌握了光刻机技术，那么阿斯麦想要在进入国内市场基本上没有可能，更不要提凭借中国市场稳固其地位的梦想了。

光刻机的问题解决了，那么芯片的问题自然也就不是问题了。早在芯片禁令实施之初，张召忠就曾经公开表示，再过三年，美国的芯片将会无人购买，因为到那个时候，中国的芯片将会到处都是。

如今看起来，张召忠果然没有说错，相信过不了多久，我们在芯片领域也一定会迎来一定的突破，中国芯片在未来一定会拥有更好的发展，而对中国企业实行打压的硅谷，在将来也一定会尝到失去中国市场的苦果。

国产光刻机真实现状

中国的光刻机现在达到22纳米。在上海微电子技术突破之前，我国国产光刻机还停留在只制造90nm芯片的阶段。这一次中国从90nm突破到22nm，意味着光刻机制造的一些关键核心领域实现了国产化。掌握核心技术的重要性不言而喻。突破关键区域后，高阶光刻机的RD速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研发22nm光刻机。中国芯逐渐崛起。随着信息社会的快速发展，手机、电脑、电视等电子设备变得越来越“迷你”。从以前的“手机”到现在只有几个硬币厚的时尚手机，从老式的矮胖电视到现在的轻薄液晶电视，无一不离开集成电路的发展，也就是我们通常所说的“芯片”。自从1958年世界上第一块集成电路问世以来，体积越来越小，性能却越来越强。光刻机是半导体芯片制造行业的核心设备。以光刻机为代表的高端半导体设备支撑着集成电路产业的发展，芯片越来越小，集成电路越来越多，可以把终端做得小而精致。2002年，光刻机被列入国家863重大科技攻关计划，由科技部和上海市共同推动成立上海微电子设备有限公司(以下简称“SMEE”)。2008年，国家启动了“02”重大科技项目，持续攻关。经过十余年的研发，我国基本掌握了高端光刻机的集成技术，部分掌握了核心部件的制造技术，成为集光学、机械、电子等多学科前沿技术于一体的“智能制造行业的珠穆朗玛峰”。

中国芯片研究有什么了重大突破？华为是否迎来转机？

中国的芯片研究前一阵子取得了较大突破，中芯国际据说采用流片曝光技术达到了7纳米精度，没有多余的信息，没有说就是说达到了7纳米的精度，我们从这样一个简短的信息里面能够得到一些有用的信息。

第一就是这个计数确实取得了一定突破，原来我们凭借光刻机去制造的这个芯片，最高的刑度，应该也就是到14纳米左右，跟我们日常的手机所使用的78甚至说是五国的芯片比起来差太多了。自然没有办法用自己的这个光刻机来制造，因为进度不够，所以我们的芯片才被国外卡着脖子，但这一次他能够达到这样的精度，就证明了这个技术已经从实验室逐渐成型了，虽然距离大规模的普及还要有相当长一段时间，但起码是个好的信号。

第二就是达到了所谓的技术突破和具备了生产制造能力是两回事，现在大家都逐渐明白这个问题了，因为原来华为就具备芯片的自我研发能力，他自己研发的芯片到了7~了5的精度都没问题，但是造不出来，这就是个很大的问题，现在华为有没有自我的研发能力当然有的，但是它没有大规模的制造能力，所以说这个所谓的达到了其他米精度的芯片，大家也都没有那么乐观，你不至于产生太大的轰动，因为达到了精度和实际达到了那个程度是两回事，它并不是借助光刻机制造出来的，就意味着它不能大规模的生产，距离量产还有相当久的距离。

可以说华为逐渐迎来的软件，因为在芯片这方面，我们确实一直被国外所限制，在这次的新片冬供面前，多方利益都认识到了自己的利益，要想获得保证必须掌握核心的技术，所以加大投资在研发这方面，这个7纳米精度的芯片能够在实验室里面制造出来，这是个好的信号，意味着未来我们不断做更多方面的研究，我们完全可以实现技术的自主。

我国芯片2022前半年自给率28纳米光刻机量产没有

近日，有传言称，全国产28纳米产线已经量产，为华为代工的芯片也已经流片成功, 这可能吗？

中芯国际有28纳米生产线，都基本都是美国或者其它国家的半导体生产设备，这肯定受制于人，所以，纯国产的28纳米生产线当然好，其中最重要的是光刻机。

按照上述传言的说法，那就是中国研发成功了28纳米光刻机。实际当然不是如此。中国光刻机技术最强的上海微电子，目前只研发出90纳米的光刻机，一直想研发制造28纳米芯片的光刻机，预计2021年会交货，但最起码2022年才能在芯片厂达成量产。即便如此，上海微电子的这个光刻机技术也不能完全“去美”化。

但为何会有中国研发成功28纳米光刻机的传言呢？是因为最近有另外一个传言，即中国最大电子企业集团公司之一、中国电科推出了28纳米离子注入机，名称像是针对28纳米生产的，但离子注入机和光刻机还不是一回事。

决定芯片良品率高低的因素有很多，最重要的光刻机，而光刻机的一个环节又是离子注入环节。而在离子注入环节中担任“总指挥”的是离子注入机。

离子注入机在芯片制造过程中主要负责对芯片进行电离子改造，按照预定方式改变材料的电性能。在光刻机对芯片进行曝光生产前，离子注入机对硅片进行不同元素掺杂，能够提高芯片的集成度、良品率和寿命。简单来说，离子注入机在芯片制程中起到了优化硅片、提高芯片性能的作用。

我国以前在离子注入机技术方面也很差，这就对光刻机的研发有很大制约，所以，搞定了28纳米离子注入机技术，对研发28纳米光刻机有利，但不能等同于光刻机。

一个光刻机最起码几万个零部件，据悉，离子注入机技术只占光刻机技术的3%左右。

中国唯一一台euv光刻机现状

国产光刻机任重道远。“即使你给图纸，你也做不出一个光刻机。”“就算全国都发展半导体制造，也很难成功。”ASML掌门人、TSMC创始人张忠谋在过去两三年里不止一次公开表示，中国大陆自己无法成功制造光刻机。实际上，严格来说，位于荷兰的ASML公司(ASML)是世界上唯一一家可以生产光刻机的公司，但它只是一家组装公司。大量核心技术来自美国，在ASML的供应链中也有中国公司，如傅晶科技和沃尔特天然气公司。实际上，在光刻机成品方面，上海微电子自2002年成立以来，一直牢牢扎根于低端光刻机市场，90nm及以下工艺的产品一直在稳步出货。公开数据显示，2018年上海微电子出货量约为50-60台，约占大陆市场的80%。所以，以上两人的论断要加上一个前提条件，那就是“先进制造工艺”的光刻机。我们常说的高级芯片是指生产工艺小于28nm的芯片，也就是28\14\7\5\3nm的工艺。这次上海微电子在光刻机举行首个2.5D/3D高级封装交付仪式，标志着中国首个2.5D/3D高级封装在光刻机正式交付给客户，但对于我们目前的卡顿芯片制造来说，只是暗夜中的烛光。“1”和“0”的故事虽然近年来“光刻机”屡见报端，但很少有人提到光刻机主要分为“前路、后路、面板”三类。卡脖子的是前路光刻机，这次上海微电子发布了光刻机。如果把芯片制造比作食品生产，前面的路就是“食品”本身，后面的路就是包装袋。面板制造属于平时想不起来的“调味品”，但它的缺失会直接打击消费者的味蕾，给数字生活调味，因为面板是C端用户最“触手可及”的。因为没有驱动芯片，无论是前端还是后端芯片，C端用户都很难对芯片性能有直观的体验。但是，无论包装和调味品对食品有多重要，如果没有“食品”本身，它的价值就是“0”。所以要想充分体现后通道和面板芯片的价值，首先要有性能优异的前通道芯片。在以前的光刻机制造中，其实光刻机并不是按照“NM”的个数来分类的，而是按照光源的波长来分为436nm光源的“g线光刻机”；具有365纳米光源的“I线掩模对准器”;具有248纳米光源的“KrF掩模对准器”;193nm深紫外光源的“DUV光刻机”;以及13.5nm极紫外光源的“EUV光刻机”，也是目前卡脖子的主打产品。目前上海微电子的产品技术已经触及ArF技术和相应的光刻胶。目前，国内公司如上海新阳、通成新材料、南大光电、景瑞股份有限公司等都已开展研发和生产。其中，南大光电旗下的ArF光刻胶已于2020年底顺利通过客户验证，是国内首个通过产品验证的国产光刻胶。

央视正式宣布，国产EUV技术大获突破，ASML总裁预言成真

任正非曾表示，我国拥有世界顶级的芯片设计能力，掌握着世界上最先进、成熟的芯片制程工艺，由于光刻机和化学材料被卡了脖子，国内企业无法独自制造出高端芯片。

然而，让所有人没想到的是，不久前，央视正式宣布，国产EUV光刻机取得重大技术突破，且0.1nm的光源设备已投入使用！

随着 科技 的发展，智能电子产品的普及，很多领域的发展都已离不开芯片的支撑，掌握芯片已上升为世界各国的战略层次。

众所周知，我国进入半导体领域较晚，西方国家为了防止我国 科技 的崛起，早在几十年前签订了《瓦森堡协定》，禁止向我国出口高尖端技术，且国内企业过于追求轻资产的发展，而忽视了对重资产投资的重要性，以至于国内所消耗的芯片，70％以上都要依赖进口。

上文也提到了我国为何无法独自制造出高端芯片的原因，光刻机被卡了脖子！或许有的人会问，我们原子弹都能造出来，为何造不出EUV光刻机？

EUV光刻机的制造是一个项目工程，不仅需要大量的高尖端技术，还需要海量的高精密元器件。如ASML公司制造的EUV光刻机， 所需的元器件高达10万件，来自世界上35个国家的1500多个企业，且每一件都代表着业内的最高水准。 值得一提的是， ASML公司制造EUV光刻机所需的核心元器件，没有一件是来自我国企业，可以预见，我国要制造EUV光刻机的难度有多大。

随着美国不断对我国企业进行芯片制裁，让我们意识到： 在当今这个时代，要想摆脱被人鱼肉的命运，就必须实现技术独立，制造出EUV光刻机，实现高端芯片的国产化。

2020年9月16日，中科院正式宣布，已根据“卡脖子清单”成立了对应的科研攻关小组，且光刻机技术攻关团队的每一位科研人员立下了军令状，争取在短时间内攻克技术难关，制造出国产EUV光刻机。

随着国内“造芯”浪潮的掀起，ASML公司总裁在不久前发出警告： 如果不将光刻机卖给中国，三五年之后，中国就会拥有自己的光刻机，凭借着强大的成本优势，很可能在15年之内将ASML公司逼出光刻机市场。

如今，随着央视一则关于国产EUV光刻机的发布，终于进一步验证了ASML总裁的预言。

近日，央视正式宣布： 我国已经在EUV光源和双工件台技术上取得重大突破！

据央视公开的消息来看，中科院自研的国内首台高能光源设备已经开始使用，且安装完成度已超过70％。中科科美也掌握了透镜镀膜技术，制造出了光学零件0.1nm的镀膜设备。

了解EUV光刻机的朋友都知道，EUV光刻机是由3个核心部分构成的： EUV光源、双工件台和EUV光学镜头。如今，我们已经突破了EUV光源和双工件台技术，这也就意味着，我们只要实现了EUV光学镜头的制造，即可制造出国产EUV光刻机。

在这个经济全球化的时代，各国企业之间的联系越来越紧密，分工越来越清晰，已经形成了“你中有我，我中有你”的现象，如果一家企业受到非正常的“攻击”，整个产业链都会受到严重的影响， 美国制裁华为，加剧世界“芯荒”就是一个很好的证明。

国内半导体行业不断传出的好消息，向世界传递了一个重要信息： 任何要想奴役我们 科技 的国家，必将会在我国企业、科研人员和14亿国人用血肉筑成的铜墙铁壁面前，碰得头破血流！