真的,杭州嘉楠耘智7纳米芯片量产。7纳米芯片有三款最高级的n7+需要光刻机。剩余两款不用光刻机也可以量产,国内到年底还会有两家公司7纳米芯片量产。
国产芯片水平只能实现90纳米。
从芯片制造环节看,光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占比很大。其中光刻机设备,目前上海微电子是90纳米。高端的KrF和ArF光刻胶更是几乎依赖进口,其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此,我国要生产高度国产化的芯片,目前90纳米是一个分界点。
这其中还不包含芯片设计使用的EDA设计软件和其它的电子化学气体材料。EDA软件被誉为“芯片设计上的明珠”,国产率不到2%。
90纳米芯片!相当于2004年的半导体工艺。2007年,苹果上市的第一代手机就是使用了90纳米的处理器。可以说,90纳米芯片瞬间让大家回到了15年前的科技生活。
当然,这样的结果只是一种极端的假设。我国半导体产业链,并不是这么差。有些环节、技术、设备已经达到国际水平。譬如芯片设计、人工智能、大数据、5G、蚀刻机。换言之,半导体基础把我国半导体的综合能力拉低了。
中国现在能做14nm芯片。
14nm并不是停在实验室里面的研发,也不是投产,而是规模量产。此外90nm光刻机、5nm刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等也实现突破。此次14nm虽然量产,但其实与国际水平还有着较大的差距,尤其是光刻机,我们还依旧依赖着国外的技术,光刻机大概率还是用ASML的。
光刻机的技术我们目前还难掌握,制程也没有国外3nm,5nm先进,但3nm虽先进,但3nm的成本过高,市场需求量也没那么大,所以就留给了我们弯道超车的机会,在我们不断加大研发和人才培养的现状下,相信未来我们定可以实现芯片自主。
手机芯片行业
在手机芯片行业,尤其是高性能芯片领域,依旧处于高通、联发科、海思、三星以及苹果五家争霸的局面,但同时具有手机终端制造能力和芯片研发能力的只有海思和三星,而高通和联发科则只提供解决方案,没有终端。
比较特殊的是苹果,其芯片自主设计但委托生产,同时完全自用。其中三星的Exynos芯片除用于自家高端手机外,只有魅族采用;而多年来,海思处理器一般都应用在华为的明星机型上面。
近日,有传言称,全国产28纳米产线已经量产,为华为代工的芯片也已经流片成功, 这可能吗?
中芯国际有28纳米生产线,都基本都是美国或者其它国家的半导体生产设备,这肯定受制于人,所以,纯国产的28纳米生产线当然好,其中最重要的是光刻机。
按照上述传言的说法,那就是中国研发成功了28纳米光刻机。实际当然不是如此。中国光刻机技术最强的上海微电子,目前只研发出90纳米的光刻机,一直想研发制造28纳米芯片的光刻机,预计2021年会交货,但最起码2022年才能在芯片厂达成量产。即便如此,上海微电子的这个光刻机技术也不能完全“去美”化。
但为何会有中国研发成功28纳米光刻机的传言呢?是因为最近有另外一个传言,即中国最大电子企业集团公司之一、中国电科推出了28纳米离子注入机,名称像是针对28纳米生产的,但离子注入机和光刻机还不是一回事。
决定芯片良品率高低的因素有很多,最重要的光刻机,而光刻机的一个环节又是离子注入环节。而在离子注入环节中担任“总指挥”的是离子注入机。
离子注入机在芯片制造过程中主要负责对芯片进行电离子改造,按照预定方式改变材料的电性能。在光刻机对芯片进行曝光生产前,离子注入机对硅片进行不同元素掺杂,能够提高芯片的集成度、良品率和寿命。简单来说,离子注入机在芯片制程中起到了优化硅片、提高芯片性能的作用。
我国以前在离子注入机技术方面也很差,这就对光刻机的研发有很大制约,所以,搞定了28纳米离子注入机技术,对研发28纳米光刻机有利,但不能等同于光刻机。
一个光刻机最起码几万个零部件,据悉,离子注入机技术只占光刻机技术的3%左右。
2023年量产。
6月22日,中国电子信息产业发展研究所所长温晓军在接受采访时表示,国产14nm芯片明年年底可以的实现量产,国产芯片已经迎来了最好的时刻。
14nm生产线在半导体行业中非常关键,数据显示,14nm及以上制程可以满足目前70%半导体制造工艺要求。值得一提的是,我国自研台式电脑CPU就是基于14nm工艺。而且,相关部门为中国半导体产业制定的发展目标是2025年实现70%芯片自给自足。
光刻机特点
严格地说并没有所谓的几纳米几纳米光刻机,这种说法一般来说只是代表这种光刻机可以实现几纳米工艺。其实中高端光刻机主要分2种,DUV光刻机和EUV光刻机。
那么光源作为光刻机的核心部件之一,随着人类科技的不断进步,其波长也在不断缩小。从436nm、365nm的近紫外光,到248nm、193nm的深紫外光,也就是DUV光刻机使用的光源,发展到现在,最先进的EUV光刻机采用的已经是13.5nm极紫外光。
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