当然,以我们国家现在的实力当然有能力生产自己的芯片光刻机。在很早以前,中国上海微电子SMEE就已经生产了SSB500/10A型号的光刻机产品,并且已经交付使用,不过,目前中国能够量产的光刻机性能最好的是90nm光刻机,和荷兰ASML公司最先进的10nm光刻机仍有着巨大的差异,然而制造先进光刻机技术的封锁,那我们还无法学到难道更为先进的光刻机技术,以致于现在国内所需要的高端光刻机也只能依赖进口。
现在,在高端光刻机领域荷兰ASML一直霸占了龙头老大的位置,他们生产的光刻机占据了市场份额的80%左右,可以说近乎垄断了高端光科技的市场,目前在世界上最先进的EUV光刻机也只有ASML能够生产,而这种光刻机的售价高达1亿美元一台,无论是Intel还是台积电所需要的14nm光刻机,都需要从他们这里购买。
而这样一来也就导致了,中国所需要的高端芯片也只能来自和ASML有合作关系的台积电等厂家生产的芯片。以中国现在的经济实力虽然完全可以自己研发高端芯片光科技,但是除了没有掌握先进的专科技术以外,中国还面临着其它的难题,光刻领域高端人才的稀缺,让中国即使有朝一日引进更为先进的芯片光科技,也暂时没有能力破解其中的奥秘。
不过,中国向来都是一个非常努力的国家,在我们坚持不懈努力自强不息的精神下,相信中国研发出更高端的芯片光刻机也只是早晚的事情。目前,国家已经对芯片产业开始进行大力的扶持,而相关的企业也正在不断刻苦的攻关,未来中国一定不会再受制于人。
任正非曾表示,我国拥有世界顶级的芯片设计能力,掌握着世界上最先进、成熟的芯片制程工艺,由于光刻机和化学材料被卡了脖子,国内企业无法独自制造出高端芯片。
然而,让所有人没想到的是,不久前,央视正式宣布,国产EUV光刻机取得重大技术突破,且0.1nm的光源设备已投入使用!
随着 科技 的发展,智能电子产品的普及,很多领域的发展都已离不开芯片的支撑,掌握芯片已上升为世界各国的战略层次。
众所周知,我国进入半导体领域较晚,西方国家为了防止我国 科技 的崛起,早在几十年前签订了《瓦森堡协定》,禁止向我国出口高尖端技术,且国内企业过于追求轻资产的发展,而忽视了对重资产投资的重要性,以至于国内所消耗的芯片,70%以上都要依赖进口。
上文也提到了我国为何无法独自制造出高端芯片的原因,光刻机被卡了脖子!或许有的人会问,我们原子弹都能造出来,为何造不出EUV光刻机?
EUV光刻机的制造是一个项目工程,不仅需要大量的高尖端技术,还需要海量的高精密元器件。如ASML公司制造的EUV光刻机, 所需的元器件高达10万件,来自世界上35个国家的1500多个企业,且每一件都代表着业内的最高水准。 值得一提的是, ASML公司制造EUV光刻机所需的核心元器件,没有一件是来自我国企业,可以预见,我国要制造EUV光刻机的难度有多大。
随着美国不断对我国企业进行芯片制裁,让我们意识到: 在当今这个时代,要想摆脱被人鱼肉的命运,就必须实现技术独立,制造出EUV光刻机,实现高端芯片的国产化。
2020年9月16日,中科院正式宣布,已根据“卡脖子清单”成立了对应的科研攻关小组,且光刻机技术攻关团队的每一位科研人员立下了军令状,争取在短时间内攻克技术难关,制造出国产EUV光刻机。
随着国内“造芯”浪潮的掀起,ASML公司总裁在不久前发出警告: 如果不将光刻机卖给中国,三五年之后,中国就会拥有自己的光刻机,凭借着强大的成本优势,很可能在15年之内将ASML公司逼出光刻机市场。
如今,随着央视一则关于国产EUV光刻机的发布,终于进一步验证了ASML总裁的预言。
近日,央视正式宣布: 我国已经在EUV光源和双工件台技术上取得重大突破!
据央视公开的消息来看,中科院自研的国内首台高能光源设备已经开始使用,且安装完成度已超过70%。中科科美也掌握了透镜镀膜技术,制造出了光学零件0.1nm的镀膜设备。
了解EUV光刻机的朋友都知道,EUV光刻机是由3个核心部分构成的: EUV光源、双工件台和EUV光学镜头。如今,我们已经突破了EUV光源和双工件台技术,这也就意味着,我们只要实现了EUV光学镜头的制造,即可制造出国产EUV光刻机。
在这个经济全球化的时代,各国企业之间的联系越来越紧密,分工越来越清晰,已经形成了“你中有我,我中有你”的现象,如果一家企业受到非正常的“攻击”,整个产业链都会受到严重的影响, 美国制裁华为,加剧世界“芯荒”就是一个很好的证明。
国内半导体行业不断传出的好消息,向世界传递了一个重要信息: 任何要想奴役我们 科技 的国家,必将会在我国企业、科研人员和14亿国人用血肉筑成的铜墙铁壁面前,碰得头破血流!
近日,有传言称,全国产28纳米产线已经量产,为华为代工的芯片也已经流片成功, 这可能吗?
中芯国际有28纳米生产线,都基本都是美国或者其它国家的半导体生产设备,这肯定受制于人,所以,纯国产的28纳米生产线当然好,其中最重要的是光刻机。
按照上述传言的说法,那就是中国研发成功了28纳米光刻机。实际当然不是如此。中国光刻机技术最强的上海微电子,目前只研发出90纳米的光刻机,一直想研发制造28纳米芯片的光刻机,预计2021年会交货,但最起码2022年才能在芯片厂达成量产。即便如此,上海微电子的这个光刻机技术也不能完全“去美”化。
但为何会有中国研发成功28纳米光刻机的传言呢?是因为最近有另外一个传言,即中国最大电子企业集团公司之一、中国电科推出了28纳米离子注入机,名称像是针对28纳米生产的,但离子注入机和光刻机还不是一回事。
决定芯片良品率高低的因素有很多,最重要的光刻机,而光刻机的一个环节又是离子注入环节。而在离子注入环节中担任“总指挥”的是离子注入机。
离子注入机在芯片制造过程中主要负责对芯片进行电离子改造,按照预定方式改变材料的电性能。在光刻机对芯片进行曝光生产前,离子注入机对硅片进行不同元素掺杂,能够提高芯片的集成度、良品率和寿命。简单来说,离子注入机在芯片制程中起到了优化硅片、提高芯片性能的作用。
我国以前在离子注入机技术方面也很差,这就对光刻机的研发有很大制约,所以,搞定了28纳米离子注入机技术,对研发28纳米光刻机有利,但不能等同于光刻机。
一个光刻机最起码几万个零部件,据悉,离子注入机技术只占光刻机技术的3%左右。
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