光刻胶是光刻胶,ITO是ITO,两回事。光刻胶(Photo resist,PR)是应用在光刻工艺中的,具备感光性,ITO(氧化铟锡)是电极材料,一般是在镀膜工艺中沉积上去的。
沐里沐是钼铝钼,是金属电极的膜层材料。
在TFT制造中,钼铝钼只是栅极源极最常见的材料而已,而栅极和源极是必要的。作为膜层材料,镀膜肯定是一整层的,不过经过光刻和刻蚀工艺后,最终剩下的就是我们想要的图案了。
材料:由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
作用:在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。
光刻胶
在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来,而未曝光被溶解,该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同,又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)。
深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂,品种规格较多,在电子工业集成电路的制造中,对所使用光刻胶有严格的要求。
以上内容参考:百度百科——光刻胶
简单的讲,就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的wafer曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到wafer上。
这就是光刻的作用,类似照相机照相。
光刻胶是一种具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝光图形的介质。光刻胶的英文名是resist,也翻译成resist、photoresist等。光致抗蚀剂的功能是作为抗蚀刻层保护衬底表面。光致抗蚀剂只是一种图像,因为它在外观上是以胶状液体出现的。
光致抗蚀剂通常以薄膜的形式均匀地涂覆在衬底的表面上。当受到紫外光或电子束照射时,光致抗蚀剂材料本身的特性会发生变化。用显影剂显影后,曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶会残留在基底表面,从而将设计好的微纳结构转移到光刻胶上。后续的刻蚀、沉积等工艺可以进一步将这种图案转移到光刻胶下面的衬底上,最后用光刻胶去除剂去除光刻胶。
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