光刻胶发展前景如何（光刻胶发展前景如何）

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一、从公司角度来看

公司介绍：江苏南大光电材料股份有限公司主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售，是MO源产业化生产的企业,也是全球主要的MO源生产商，其主要产品有MO源产品、高纯ALD/CVD前驱体、OLED材料等。南大光电依托企业自主创新平台，全面推进研发创新能力建设，自主研发的多个产品获得"高新技术产品认定证书"、"国家火炬计划项目证书"等荣誉。

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亮点一：自主研发ArF光刻胶产品，加速公司光刻胶业务发展

公司成功自主研发出国内首支通过客户认证的ArF光刻胶产品，实现了国内ArF光刻胶从零到一的跨越，公司目前已建设了两条光刻胶生产线，光刻胶每年的产量高达25吨。目前为止，ArF光刻胶产品接收到小批量订单，在光刻胶国产化的大趋势下，光刻胶业务将带动公司业绩更上一层楼。

亮点二：多维度布局半导体材料，技术优势明显

电子特气方面，新一代安全源、混气产品相继产业化，最新升级的超高纯砷烷产品品质在测试中已超过目前国际先进同行的技术水平，超高纯磷烷产品也跨入国际一流制程的芯片企业，公司氢类电子特气已高居世界榜首了。MO源方面，公司通过提升MO源超纯化和超纯分析技术实现了在第三代半导体领域的新应用市场增长，高纯ALD/CVD前驱体产品也实现批量供货国内外先进半导体企业。碍于文章受限，更多关于南大光电的深度报告和风险提示，我整理在这篇研报当中，打开便能查阅：【深度研报】南大光电点评，建议收藏！

二、从行业角度看

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光刻胶方面：在供给端中，受晶圆厂扩产、疫情等多个因素的影响，光刻胶供给呈现出紧张的局面。在需求端中，国内有不少家国内晶圆厂也在积极增加产量，国内光刻胶的产量远不够需求而且差距还在连年增长，尤其在ArF、高端KrF等半导体光刻胶方面，光刻胶作为"卡脖子"产品对国产替代的需求极其旺盛。

总体来说，我国对身为高科技产业的半导体行业非常看重，南大光电作为其中的佼佼者，发展的速度将一日千里。但是文章具有一定的滞后性，如若想要更精确地去得知南大光电未来行情，直接点击链接，有专业的投顾帮你诊股，瞅瞅南大光电估值究竟咋样：【免费】测一测南大光电现在是高估还是低估？

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一、从公司角度来看

公司介绍：江苏南大光电材料股份有限公司主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售，是MO源产业化生产的企业,也是全球主要的MO源生产商，其主要产品有MO源产品、高纯ALD/CVD前驱体、OLED材料等。南大光电依托企业自主创新平台，全面推进研发创新能力建设，自主研发的多个产品获得"高新技术产品认定证书"、"国家火炬计划项目证书"等荣誉。

简单的对南大光电进行介绍之后，下面通过亮点分析南大光电值不值得投资。

亮点一：自主研发ArF光刻胶产品，加速公司光刻胶业务发展

公司成功自主研发出国内首支通过客户认证的ArF光刻胶产品，实现了国内ArF光刻胶从零到一的跨越，公司目前已实现了两条光刻胶生产线的建设，25吨是光刻胶的年产能。现在，ArF光刻胶产品已得到小批量订单，在光刻胶逐渐国产化的背景下，光刻胶业务即将带动公司业绩，进入一个新的成长空间。

亮点二：多维度布局半导体材料，技术优势明显

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二、从行业角度看

十四五规划提到要对人工智能、量子信息、集成电路等项目进行扶持，这个情况无疑是有利的。最近这几年，美国跟其他国家一直联手对中国进行高科技封锁，严格限制对中国的设备、技术出口，这样的做法致使国内市场在半导体技术方面国产化的需求大幅度提高了很多，也侧面的让国内半导体全产业链的发展得到进步了。

光刻胶方面：在供给端中，受晶圆厂扩产、疫情等因素的影响，光刻胶的供给局面很紧张。在需求端中，国内有不少家国内晶圆厂也在积极增加产量，国内光刻胶需求量远大于国产产量且差额连年增长，特别是在ArF、高端KrF等半导体光刻胶层面，光刻胶作为"卡脖子"产品对于国产替代的需要强烈。

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一、从公司角度来看

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亮点一：自主研发ArF光刻胶产品，加速公司光刻胶业务发展

公司成功自主研发出国内首支通过客户认证的ArF光刻胶产品，完成了国内ArF光刻胶从零到一的重大突破，目前公司已完成两条光刻胶生产线的建设，每年都会有25吨光刻胶被生产出来。如今，ArF光刻胶产品已接到小批量订单，光刻胶现在正逐步向国产化趋势发展，光刻胶业务将带动公司业绩迈入更高的境界。

亮点二：多维度布局半导体材料，技术优势明显

电子特气方面，新一代安全源、混气产品相继产业化，最新升级的超高纯砷烷产品品质在测试中已超过目前国际先进同行的技术水平，超高纯磷烷产品也跨入国际一流制程的芯片企业，公司氢类电子特气已跻身世界前端。MO源方面，公司通过提升MO源超纯化和超纯分析技术实现了在第三代半导体领域的新应用市场增长，高纯ALD/CVD前驱体产品也实现批量供货国内外先进半导体企业。因为篇幅有限，这篇研究报告把关于南大光电更深入的分析和潜在风险都详细写了，点击该链接便可了解：【深度研报】南大光电点评，建议收藏！

二、从行业角度看

十四五规划提到要对人工智能、量子信息、集成电路等项目进行扶持，这个肯定是有好处的。近几年，美国一直联手其他国家对中国进行高科技封锁，严格限制对中国的设备、技术出口，这样反而偷鸡不成蚀把米，把我们中国市场半导体技术国产化的需求大幅度提高了不少，也侧面的让国内半导体全产业链的发展得到了推动。

光刻胶方面：在供给端中，由于被晶圆厂扩产、疫情等影响到，光刻胶供应出现十分紧张的局面。在供应链中，国内多家国内晶圆厂也在积极增加每日产量，国内光刻胶需求量远大于国产产量且差额连年增长，特别是在ArF、高端KrF等半导体光刻胶层面，光刻胶作为“卡脖子”产品国产替代需求迫切。

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一、从公司角度来看

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二、从行业角度看

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光刻胶方面：在供给端中，受晶圆厂扩产、疫情等因素的影响，光刻胶供给出现紧缺局面。在需求端中，国内许多家国内晶圆厂也在积极努力扩大生产数量，国内光刻胶需求量远大于本土的生产量且差额逐年扩大，特别针对ArF、高端KrF等半导体光刻胶方面，光刻胶作为"卡脖子"产品对国产替代的需求极其旺盛。

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光刻胶的作用

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。

光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。

2. 光刻胶应用范围

光刻胶广泛应用于集成电路(IC)，封装(Packaging)，微机电系统(MEMS)，光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板显示器(LED,LCD,OLED)，太阳能光伏(Solar PV)等领域。

3.光刻胶分类及类型

光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。

正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。

①．紫外光刻胶（Photoresist）：

各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。

各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。

各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。

②. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）

电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。

电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。

③. 特殊工艺用光刻胶（Special manufacture/experimental sample）

电子束曝光导电胶，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。

④．配套试剂（Process chemicals）

显影液、去胶液、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。

4.光刻胶成分

光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。

5.光刻胶的主要技术参数

5.1．灵敏度（Sensitivity）

灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

5.2．分辨率（resolution）

区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：

(1) 曝光系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。

5.3．对比度（Contrast）

对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。

5.4．粘滞性/黏度 （Viscosity）

衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。

5.5．抗蚀性（Anti-etching）

光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

5.6．工艺宽容度（Process latitude）

光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。

6.特殊光刻胶介绍

6.1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）

化学放大胶中含有一种叫做"光酸酵母"（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。

6.2.灰度曝光（Grey Scale Lithography）

灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。