5nm光刻机中国突破了吗（中国5纳米光刻机突破是真的吗）

国产半导体设备“破冰”，事关5nm工艺，河南研究院立功了

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在当今世界 科技 全球化的发展中，经济的发展越来越智能化、数字化。各行各业的部门运营都离不开电子设备，而芯片作为电子设备的运转核心，是相当重要的组成部分。

可以说芯片对于机器的重要性，相当于大脑对于人类的重要性一样，确定人类失去生命体征的信息不是心跳停止，而是脑死亡，机器也是一样，没有芯片，机器也就失去“活性”。

但由于电子产业在近两年来的快速发展，芯片的供应已经跟不上市场需求的剧增，全球迎来了“缺芯”局面。对此很多芯片工厂纷纷加大产程。

大家知道芯片的制造对于高端光刻机的依赖是很大的。尤其是7nm制程以下的芯片，如果没有EUV光刻机是几乎无法实现量产，而EUV的制造工艺则为ASML公司所垄断。

但由于“芯片规则”的修改，ASML的光刻机有一部分用到了美方的技术，由于技术限制ASML无法对我们自由出货。在2019年我国就向ASML公司耗资十亿人民币订购了一台EUV光刻机，但由于各种原因，这台光刻机到现在都未能在我国落地。

在目前全球缺芯的大背景下，我们的芯片供应自然也是紧缺的，在这档口芯片供应又被“卡了脖子”，我们的处境更是艰难。

虽然ASML表示除了EUV光刻机外其他的光刻设备都能对我们自由出货，但这远远不够。

越是精密的设备对于芯片的精密度要求就越高。如手机需要的芯片至少是7nm制程以下，不仅要求体积小，还要求高性能，运行稳定，有优秀的信息连接和反馈效率。

从我们的手机市场来看，我们对于7nm制程以下芯片的需求量是巨大的，半导体设备国产化已经迫在眉睫。

这有多重要从华为的遭遇就能看得出来，自从5G芯片被断供之后，作为主营业务的手机销售一落千丈，不仅已经推出的手机开始缺货，新的5G手机也迟迟无法发布。

但说实话，EUV光刻机的制造不是凭借努力钻研或者大量投资就能实现的。我们从来不怕困难不怕吃苦，我们国家的经济实力也有目共睹，如果能用钱解决的事那都不叫事。

难点在于EUV光刻机关键的零部件就多达十多万，其中还包含一些电子特气。给ASML提供光刻设备零部件的企业就多达5000多家，遍布世界40多个国家。

如此强大的供应链整合能力目前除了ASML还没有谁能做到。这也是为什么ASML的高层会说，即使把光刻机的设计图纸放出来也没人能造出来。虽然听起来太过自信，但也不是全无道理。

芯片的制造过程包含了刻蚀、光刻、离子注入和清洗等多种工艺，这些过程都需要相应的设备来完成，并不只是需要光刻机。

我国在这些方面都一直在努力。目前我们28nm制程芯片的生产工艺已经很成熟了，完全可以满足国内需求，主要就是7nm以下的高端芯片问题还未解决。

根据媒体4月7日消息，郑州轨道交通信息技术研究院成功研发出了全自动12寸晶圆激光开槽设备。除了具备常规的激光开槽功能之外，还能够支持120微米以下超薄wafe的全切工艺，以及支持5nm DBG工艺。

这套设备采用的是模块化设计，能够支持纳秒、皮秒、飞秒等不同脉宽的激光器。完全自主研发的光学系统，光斑宽度及长度都能够自由调节，超高精度运动控制平台技术与其完美结合，极大减少了设备对材质、晶向、厚度以及电阻率的限制难题。

全兼容的工艺使产品的破损率得到了有效的控制，良品率得到了很大的提升。

轨交院的研发团队对这项技术难题的攻克，表示了我们在5nm芯片工艺上取得了重大突破，晶圆加工工艺达到了新高度。证明了我国在晶圆激光切割领域的强大研发实力。

完全的自主研发系统更是实现了高度自主化，无惧技术限制。

未来的芯片精度只会越来越高，现在国内很多芯片厂商为了摆脱技术限制开始研发新的芯片封装工艺。这项切割技术的研发也将助力国内的“小芯片”封装工艺，帮助这些芯片厂家提升工艺水平。

这对于我国先进制程的芯片发展具有里程碑式的意义。

对于我们的国产化芯片设备制造技术大家有什么想法呢？欢迎在评论区互相交流。

国产5nm光刻技术不存在？中科院紧急辟谣：国产只有180nm

在芯片的生产过程中，光刻机是关键设备，而光刻则是必不可少的核心环节。光刻技术的精度水平决定了芯片的性能强弱，也代表了半导体产业的完善程度。我们国内一直希望在这方面取得领先的地位，但是结果却不尽人意。

其实光刻机之所以这么难造，就是因为光刻技术实在是太复杂了，不仅需要顶尖的光源条件，还对精度有着近乎苛刻的要求。目前，全球光刻技术市场基本上被美日两国垄断了，而我们国内正在努力攻克其中的技术难点。

那么光刻到底是一项怎样的工作呢？为什么能难倒这么多国家？大家都知道，芯片的衬底是半导体晶圆，而光刻就是在晶圆上制备芯片的第一步。在光刻过程中，有一项非常重要的材料，名为光掩膜，没有它也就无法将集成电路刻画在晶圆上。

而且光掩膜也有高中低端的层次之分，通过高端光掩膜生产出的芯片更加先进，而低端的就只能用于生产普通芯片了。显然，高端光掩膜也是各个国家青睐的对象，但是这种材料的制备难度非常高，如果精度达不到要求，那么想要突破绝非易事！

就目前的情况来看，国内在光掩膜市场还对国外进口存在一定的依赖，但是随着中科院的突破，这种依赖正在慢慢减轻，以后将会彻底消失。那么如今国内的光刻技术到底达到了何种水平呢？

在讨论这个问题之前，我们先来看看中科院传出的消息，它被很多人过分甚至是错误解读了。今年7月份，中科院发表了一篇论文，研究内容是5nm光刻制备技术，而大部分人都以为这标志着中科院突破到了最先进的5nm极紫外光刻技术。

但是事实却并非如此，据后来该论文的通讯作者刘前在接受媒体采访时表示，中科院研究的5nm光刻制备技术针对的是光掩膜的生产，而不是光刻机用到的极紫外光。也就是说，中科院发表论文不等同于国产光刻机技术达到了5nm水平。

对此，很多国人都在想，难道国产5nm光刻技术不存在？从某种意义上来说，现在这个问题的答案是肯定的，国产5nm确实还遥遥无期。此外，中科院紧急辟谣：5nm光刻技术根本不现实，国产水平只有180nm！

从5nm一下子掉到180nm，这个落差让很多人都接受不了。但需要知道的是，180nm才是国产光刻机技术的真实水平，就算不愿意承认，也必须得面对。如果连自身的不足之处都无法面对，那么何谈攻克技术难题？何谈突破？

毫无疑问，180nm还处于比较落后的状态，这也是国产芯片迟迟无法崛起的主要原因。光刻技术作为光刻机的核心动力，我们国内肯定不会轻易放弃，现在是180nm不代表以后也是180nm，现在无法突破到5nm也不代表以后突破不了！

所以说，我们应该对国产技术和半导体芯片充满信心，只有相信自己，才能不断地自我突破。而且最近一段时间，国内传来了很多好消息，光刻技术也不急于一时。

举个简单的例子，华为旗下的海思半导体正在转型为IDM模式的企业，不仅要掌握芯片设计技术，还准备进军芯片制造市场，成为像三星那样的巨头。此外，华为也宣布了全面布局光刻机的决定，有了它的加入，国产光刻技术将迎来更大的希望！

一项技术就算再难也有一定的限度，但是科研人员的智慧是无限的，所以在国内这么多科研工作者的共同努力下，再难的技术都会被攻克，光刻和光刻机也不例外。相信以后国内一定能实现技术崛起的目标，取得领先的地位！

对此，你们怎么看呢？欢迎留言和分享。

中科院突破5nm激光光刻技术，激光光刻机横空出世？荷兰再见？

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美国政府以一国之力打压华为公司的消息，经媒体报道之后，相信大家都非常了解华为目前面临的处境了，但最近中科院率先牵头，将要强势入局芯片领域的消息，也让大家都松了一口气，甚至有媒体报道说，目前中科院已经突破了5毫米的激光光刻机技术，那这是真的吗？对于中科院的 科技 实力，大家还是比较相信和认同的，但是在这么短的时间里就突破这么尖端的高 科技 技术，显然是有些媒体哗众取宠，有些不切实际的报道。以我国现有的科研水平，若想完全突破5毫米光刻机技术，恐怕都还有很长一段路要走，更别说突破5毫米激光光刻机技术了，任何一项科研项目都需要时间的积累，实践的反复研究，经过不懈的努力，才能够最终达成。

就目前而言，中国虽然有最聪明勤奋的科学研究工作者，也还没有攻克5毫米的光刻机技术。世界上目前能够生产和制造最为先进的EUV光刻机，是荷兰的ASML.公司，原本中国几年前就打算从该公司购入光刻机，但是因为美国方面的种种阻挠，这件事情最终变得不了了之。而美国这种“强盗“行径，也让许多中国人看清了美国的真正丑恶面目，也激起了许多国人的愤慨和爱国情绪。

不过好消息是，中科院的科学家目前正准备“换条赛道”，开始研究“碳基芯片”，相比于传统的硅材料芯片，碳基芯片的好处就在于不需要光刻机，采用的是石墨烯材料，其各方面性能都比硅材料要领先许多，但是否可以行得通还是一个未知数，但是作为科学道路上的先行者，相信中国科学家们也深深知道开拓和创新才是他们前行的动力，虽然道路异常艰难，他们也一定会想办法克服的。

因此，对于那些报道不实消息的新闻媒体，大家千万不要相信，尤其是那些妄言激光光刻机横空出世，从此告别荷兰制造的报道，要坚决给予抵制。但同时也要相信我国科学家的科研实力，虽然目前距离突破5毫米的芯片技术，以及与其他国家的 科技 水平还有很大的差距，但随着国家层面的重视，在众多科研工作人员的共同努力下，一定会有质的飞跃和提升。对此，大家怎么认为呢？

美国彻底失算！华为将新建首个晶圆厂？国内强企低调突破5nm技术

为什么说美国彻底失算了，我国究竟是哪家企业如此低调，竟突破了5nm芯片制程，感兴趣的朋友别忘了点赞加关注，精彩内容现在开始，最近这几个月的时间，我国芯片领域发展，可谓是频频传出好消息，首先就是中科院旗下的光机所，国产14纳米芯片成功取得突破，并且预计明年将实现量产，正当我们沉浸在国产芯片，即将能够迎来自给自足的喜悦当中的时候，我国的芯片技术发展，直接一连串来两大好消息，首先第一个好消息就是，根据6月26日发布的相关消息显示，我国 科技 代表企业华为，将在武汉建立起首个晶圆厂，这对于此前因华为被芯片断供而，捏一把汗的人们

可谓是松了一口气，这代表着华为终于将不再仅仅是，设计高端芯片，制造高端芯片也提上了日程，不仅如此，根据有关消息透露，华为新建的首个晶圆厂，预计将在明年实现分阶段投产，虽然对于此消息华为还没有做出正式回应，但华为早在2019年，在华为投资控股公司2019年度第一期，中期票据募集说明书上，就已经透露了一定的消息，根据表格内容显示，华为的确是计划投资18亿，在武汉新建一座名为武汉海思的工厂，并且这座工厂将由华为全资建设，牢牢掌握在自己的手中，因此 华为要自己建晶圆厂一事，基本上是八九不离十了，正当华为这边还在筹备建厂的时候，我国另一家半导体企业

竟然十分低调的做出了巨大技术突破，这家十分低调突破5nm制程技术的，中国企业究竟是谁呢，北京屹唐半导体 科技 股份有限公司，可能很多人都没听说过这个名字，然而就在华为被曝出要新建晶圆厂的同时，该公司申请的IPO正式获得了受理，不仅如此 该公司的蚀刻机设备，现如今已经成功进入到了，5纳米逻辑芯片量产线，要知道14纳米芯片如果量产，那么我国将实现国内芯片的自给自足，而7纳米和5纳米等芯片的制作技术突破，则是真正的世界半导体领域的技术顶流，北京屹唐半导体这家企业，作为我国十分低调的国产芯片企业，当我们还在谈论中芯国际以及中微半导体，所取得的技术突破成就的时候，北京屹唐半导体所拥有的相关技术，如今在国内甚至是国际上

都算的上数一数二的水平，其蚀刻机设备不仅已经正式运用到了，5纳米生产线，该公司在制作芯片的干法去胶设备，以及快速热处理设备，早在2020年的时候，已经取得了全球市场占有率的“头把交椅”，蚀刻机虽然与光刻机，在技术层面有着很大的区别，但是蚀刻机却是芯片制造中，不可忽视十分关键的一环，如今北京屹唐半导体领先世界，相关技术率先做到了5纳米进程，这就意味着 我国在突破国外技术封锁方面，又迈进了重要的一步，再反观美国制裁和禁令，似乎已然受到了反噬，为什么说美国彻底失算了呢，美国制裁虽然对华为的芯片供应，造成了极大的影响，但是其本身也并不好过

由于市场增长的规律，芯片制造商并不会一味的大规模量产芯片，而是根据市场日益增长的需求，从而适度生产，全球范围内之所以都会出现“缺芯”的现象，主要是因为美方这近几年来，为了巩固自己在 科技 领域的霸权地位，对我国大多数 科技 企业，实行了所谓了封禁和打压限制，我国 科技 企业的芯片需求量，对于整个芯片市场的影响力，自然是不言而喻的，美国的一番操作直接是扰乱了，整个芯片市场的正常发展秩序，我国部分企业的确是面临芯片紧缺的情况，但是国外受美国影响，从而出现内卷 囤芯现象的芯片企业，也不在少数，而美国之所以此前大搞制裁禁令

不仅是为了遏制我国的 科技 发展，更是垂涎于我国半导体领域的巨大市场，因此 美方自然是不想看到我国走向芯片自研自产的道路，然而 当我们来看真实情况，我国并没有因为封锁打压 而惨遭溃败，尤其是华为等我国 科技 企业，不仅没有在打压中屈服，反倒发展的越发迅速，时至今日更是准备进入芯片制造行业，并且 华为此前已经积累下了设计高端芯片的实力，可能的话 未来完全可以跟国内企业，进行技术上的交流共同攻破技术封锁，如今华为的双叠加芯片技术的专利，已然是十分耀眼，通过两块芯片的共同叠加运用

从而使其性能直接上升一个维度，简单来说 两块14纳米的芯片性能叠加，则可以直接达到主流7纳米芯片的性能，不得不说 我国 科技 领域的发展，现如今正向着光明的未来前进，一个接着一个的技术突破，都将是我们引以为傲的资本，最后 对于我国芯片领域的发展，您有什么想说的呢，欢迎您在下方评论区留言讨论，我们下期不见不散