中国首台5纳米光刻机谁研发的呢（中国研发出5nm光刻机）

央视: 中国中微正式宣布掌握5nm刻蚀机技术!

当中国中微公司宣布已经掌握5nm刻蚀机技术并领先全球的时候，有不少国内自媒体再次站出来，义正言辞地宣布中国的芯片制造业已经领先全球，不惧美国、荷兰、德国、日本等高科技国家。

就5nm刻蚀机技术而言，中微确实已经步入世界领先水平，但绝没有像公众号鼓吹的那般“实现弯道超车”。其实芯片制造业的上下游供应商和制造商有很多，中微也仅是在这一个闭环中的一个环节上取得领先地位，但在芯片制造业的整体水平仍是落后状态。

荷兰ASML公司几乎垄断了全球的高端光刻机生产及供应，尤其是EUV光刻机，在2019年仅向全球供应了26台，其中近一半都被提供给了中国台湾的台积电。而中国大陆的中芯国际连续多年向ASML公司提出购买要约，并先期支付巨额交易费用，却迟迟等不到荷兰ASML方面发货的消息。

5nm激光光刻技术，是否预示着我们即将能取代ASML？

5nm激光光刻技术，预示着我们即将能取代ASML，但是5nm激光光刻技术还未安全成熟，因此还是要用ASML技术！

国产最先进光刻机

第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。

而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的。其中，制造光源的设备来自美国公司；镜片，则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。

第二，中国进口最先进的光刻机，是7nm。

2018年，中芯国际向荷兰ASML公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机，当时预交了1.2亿美元的定金。请注意，当时这台机器还没有交付，而是下订单。

但国内市场上，其实已经有7nm光刻机。在2018年12月，SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机。海力士也是ASML的股东之一。

第三，目前国产最先进的光刻机，应该是22nm。

根据媒体报道，在2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米。

请注意该报道的标题：“重大突破，国产22纳米光刻机通过验收。”

也就是22nm的光刻机，已经是重大突破。

22nm的光刻机，关键部件已经基本上实现了国产化。“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权。”

有关报道中的“全新的技术”，也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下，实现的这一次技术突破

中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。

华为麒麟受制于人，中芯国际不堪大用，澎湃芯片久不见进展，虎愤芯片勉强能用。

实用更是有很远的路要走。

大家放平心态。

中科院正式宣布，已研发出5nm光刻技术，距离造成5nm芯片还要多久？

制造5nm芯片还要多久，这个时间很难说，为什么？因为制造5nm芯片我国必须有自己的光刻机。这个机器非常难制造，记得美国用了近二十年的时间才在这方面占据领先位置。现在不同以往，我国追赶的话，要制造5nm芯片长则十年，短则三五年。

要制造光刻机器需要投入很多资源，费钱是肯定的了，主要还要培养人才，突破技术瓶颈，每一个技术人家可能摸索几年十年，如果我国能够快速突破技术瓶颈，这是好事，不过这个急不得，这个时间衡量最少要用年单位，所以这一两年制造出5nm芯片几乎不可能。

当华为中兴为美国层层设限制的时候，很多人已经意识到科技的力量，美国说不卖芯片了，我们能怎么办，并且美国还怂恿别的国家和公司不卖芯片给华为，在5g领域也不想让华为参与，在这种情况下，华为用不了美国的芯片，那么生产出来的手机性价比肯定受到影响，因为芯片是手机的核心。

核心被别人掌控了，自己没有芯片只能自己找路子，所以我国现在必须要发展芯片和半导体，这方面落后，依然会被美国层层设陷。

不过制造这个芯片并不容易了，现在台积电在这方面领先了很多，人家已经在2nm芯片工艺上有所突破，所以现在在制造芯片方面一刻也不能等了。

华为用不了美国的芯片，可以用中芯国际或者联发科的，不过两者的芯片还是比不上人家，比如联发科的天玑720芯片和高通765几乎都是中端芯片，不过性能上720比不上765，测试差距也有百分之30左右吧，这种情况，如果华为用联发科芯片，而别人用高通芯片，那么华为手机性价比就少了一些。

综合来看，5nm芯片没有三几年难以实现，不过如果集合很多很多的资源并且可以光刻机，或者国内某个公司创造奇迹，那么一两年的时间都有可能。

中国光刻机

中国光刻机历程

1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。

然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。

1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。

1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。

1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。

1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。

1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。

1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。

1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。

1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。

1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。

但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了＂造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。

九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。