先进光刻胶项目迈出关键一步(这家公司光刻胶材料项目正式签约 总投资20亿元)

2022-12-04 6:07:40 基金 xialuotejs

制造芯片的关键材料,中企募资14.5亿,有望打破技术垄断

近两年,国内掀起了芯片行业投资建设的高潮, 阿里、格力等一众玩家相继入局,仅在2019年,国内就有12座晶圆厂投产。 而且,根据国务院下发的芯片产业发展文件, 从2020年到2025年,我国芯片自给率要由30%提升到70%。 可以预见,未来四五年时间里,我国晶圆厂数量将会稳定增加。

这意味着芯片制造厂的上游产业将迎来发展良机,也是因此,目前不少企业都在集资,用于研究制造芯片的关键材料 。而在11月3日,中国 科技 巨头——上海新阳对外公布了定增预案,内容显示,公司预计募资14.5亿人民币,用于芯片制造新化学材料的研发。

值得一提的是,目前公司部分项目已经取得突破 ,未来上海新阳有望率先打破国外企业在光刻胶领域的技术垄断,填补国内市场空白 。

根据上海新阳给出的信息,公司光刻胶项目将会在2023年前力争实现产品产业化,这也将成为上海新阳的第三大核心业务,量产后该项目年营收将突破2亿大关。

公开资料显示: 上海新阳最初凭借半导体封装领域的第一代电子电镀技与电子清洗技术起家,在过去十多年时间里,上海新阳一直是该技术方面的领导者 ,而且上海新阳非常注重技术研发,每年研发投入都占到总营收的9%以上,这一比例超过了绝大多数的 科技 公司,也让上海新阳获得了第二代电子电镀与电子清洗技术。

目前,上海新阳在国内半导体化学材料方面,销量和市占率全国领先,也是国内技术最先进的企业 。

最重要的是,上海新阳掌握着半导体化学材料制造的最关键技术, 这意味着只要上海新阳能够做大,公司的产品就可以对海外进口材料进行全面替代 ,中国半导体制造企业再也不必担心出现材料卡脖子的问题。

长远来看,上海新阳在吸纳这笔资金后,所获得的技术提升以及产能提升,将可以直接促进本土芯片产业发展 ,让中国半导体产业链变得更完善。

不出意外,上海新阳将稳坐国产芯片化学材料市场一哥宝座,你对公司的发展前景怎么看,不妨谈谈你的观点。

文/JING 审核/子扬 校正/知秋

先进光刻胶项目迈出关键一步(这家公司光刻胶材料项目正式签约 总投资20亿元) 第1张

华为曝光新科技,为什么美国想要共享?

但要实现芯片自治,首要条件是突破EUV光刻机的限制。在明确核心问题后,中科院等顶尖科研机构纷纷进入市场,成立专门的技术研究团队。不仅如此,就连国内很多实力雄厚的半导体公司也在光刻领域下了很大功夫。

好消息不仅是EUV光刻机!华为黑技术曝光,美国要技术共享?

2月底,清华大学宣布突破光源技术,波长可覆盖从太赫兹到极紫外,这是EUV光刻机的核心技术。

值得一提的是,EUV光刻机也叫极紫外光刻机。清华大学开发的EUV光源,意味着中国在EUV光刻机的研发上迈出了一大步。

除了光源技术,最近,国内企业上海信阳公布了高端光刻胶的好消息。高端光刻胶是EUV光刻机最重要的原材料,之前一直被日美企业垄断,是我们实现芯片独立的又一个“拦路虎”。

按照上海信阳光刻胶项目的推进速度,国产193nm Arf光刻胶明年可以小规模销售,2023年可以量产并正式商业化。

尽管荷兰的ASML直言不讳地告诉我们,即使给你图纸,你也不能制造EUV光刻机。但事实证明,尖端设备和技术是人造的,而不是上帝造的。现在EUV光刻机的关键技术在国内科研机构和科技企业的共同努力下有了突破,那么离国产还远吗?

我国之所以早年不努力开发光刻机,不是因为有多难,而是光刻机市场不值得花费太多精力。全球最大的平板电脑制造商ASML在2020年仅售出30多台,销售额仅超过20亿欧元,甚至比阿里腾讯的月收入还要糟糕。

现在我们发展EUV光刻机是因为芯片的情况,但是认为我们把所有的精力都放在光刻机上是一个很大的错误。从前段时间国家公布的2035年长期科技目标中可以明显看出,量子技术是关键方向。

近日,市场研究机构valuenex发布了其关于全球企业量子专利份额的分析数据,再次让人看到了华为的实力。数据显示,华为在量子通信和加密技术方面拥有100多项专利,全球排名第二!

也许很多人对华为的了解仅仅停留在5G和智能手机的水平。要知道华为每年都有几千亿的RD投资,涉及各种先进的科技研发。不然老美也不会那么怕杀华为。

量子通信是一种安全的武器,具有不可克隆性和不确定性的原理,可以很好地解决信息传输过程中的安全问题。

传统通信领域的主动权一直掌握在美国公司高通手中。有传言称,美国军方一直在利用技术窥探多国机密。华为在通信领域的落后可能挡住了老美的眼睛,所以不难理解为什么美国会不惜一切代价压制华为,争夺通信市场的主导力量。

在量子通信技术方面,我们远远领先于美国,专利总数大约是它的两倍。此外,我们的量子技术已经逐渐进入成熟阶段,已经从实验室渗透到实际应用中,并且还建立了许多量子通信基础设施。

比如世界第一颗量子科学实验卫星墨子,京沪干线,去年齐鲁干线。根据发展规划,中国将在2022年再建设8-10个国际顶级量子实验室。

与EUV光刻机相比,量子是半导体技术的最终形式。或许,在嗅到危机的味道后,前几天再次向华为等中国企业施压的美国政府,竟然要求我们分享量子领域的技术,可以说是把所谓的“霸权”思想应用到了极致。

可用于7nm芯片光刻胶通过客户验证,南大光电巨量收涨8%

观察者网·大橘 财经 讯(文/吕栋 编辑/尹哲)在集成电路制造领域,光刻机被称为是推动制程技术进步的“引擎”,而光刻胶就是“燃料”。

未来几年,随着中芯国际、长江存储、长鑫存储等晶圆厂进入产能扩张期,高端光刻胶的国产化替代迎来重要窗口。

12月17日晚间,南大光电公告披露,其控股子公司宁波南大光电材料有限公司(下称:宁波南大光电)自主研发的ArF光刻胶产品近日成功通过客户使用认证,可用于90nm-14nm甚至7nm技术节点。

“本次产品的认证通过,标志着‘ArF光刻胶产品开发和产业化’项目取得关键性的突破,成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶,为全面完成项目目标奠定坚实的基础。”公告中写道。

南大光电内部人士今天在接受观察者网采访时透露,ArF光刻胶生产线已建成,可根据客户需要量产。

受上述消息影响,创业板上市的南大光电今天高开近14%,最终收涨8%。

不过,需要注意的是,截至今年上半年,光刻胶业务还未给南大光电贡献营收。该公司坦言,ArF光刻胶存在稳定量产周期长、风险大等特点,后续是否能取得下游客户订单存在较多不确定性。

最近三年,南大光电净利润增速骤降,2019年扣非净利润仅为上市前的五分之一。

公告截图

量产阶段仍存诸多风险

观察者网梳理相关资料发现,光刻胶是一种对光敏感的混合液体,可以通过光化学反应,经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩模版)转移到待加工基片上。

依据使用场景,待加工基片可以是集成电路材料、显示面板材料或者印刷电路板(PCB)。

因此,按应用领域分类,光刻胶又可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。目前,国产光刻胶以PCB用光刻胶为主,显示面板、半导体用光刻胶供应量占比极低。

浙商证券2020年4月研报截图

作为技术难度最大的光刻胶品种,半导体光刻胶也是国产与国际先进水平差距最大的一类。

长时间以来,为满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求,光刻机不断通过缩短曝光波长的方式,提高极限分辨率。

目前,光刻机光源波长由紫外宽谱逐步缩短至g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、 ArF(193nm)、F2(157nm),以及最先进的EUV(

本次南大光电通过客户认证的光刻胶,就是ArF光刻胶。

国元证券2019年1月研报截图

南大光电表示,ArF光刻胶材料可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺,广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、 AI芯片、5G芯片、大容量存储器和云计算芯片等)。

认证评估报告显示,“本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证,宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求,良率结果达标。”

南大光电认为,本次通过客户认证的产业化意义大。

“本次验证使用的50nm闪存技术平台,在特征尺寸上,线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求,孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求,该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。”公告中称。

至于为何选在50nm闪存产线验证, 南大光电内部人士向观察者网表示 ,该公司产品分别在不同客户处验证,有逻辑有存储的。因为存储的先通过,就先公告,其他的还在努力中。

不过,该人士并未向观察者网透露,公告中的客户是国内或者国外厂商。

IC光刻流程图

目前,全球光刻胶市场基本被美日大型企业垄断,中国大陆内资企业所占市场份额不足10%。

2019年,日韩贸易争端中,日本就曾通过禁运光刻胶对整个韩国半导体行业造成打击。

为支持国内企业加大光刻胶开发力度,2000年以来,我国出台多项政策支持半导体行业发展。

2006年,国务院在《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中提出《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目,因次序排在所列16个重大专项第二位,在业内被称为“02专项”。

公告显示,“ArF光刻胶产品开发和产业化”就是南大光电承接国家“02 专项”的一个重点攻关项目。

券商统计的信息显示,南大光电2017年承接的ArF光刻胶项目总投资额为6.6亿元,其中国拨资金1.9亿元,地方配套资金1.97亿元,使用上市时的超募资金1.5亿元及其他自筹资金。

该项目拟通过3年达到年产25吨ArF干式和浸没式光刻胶产品的生产规模,预计达产后年销售收入平均为1.48亿元,实现净利润0.6亿元,投资回收期6.8年(包含3年建设期),内部报酬率为18%。

截至今年上半年,光刻胶业务尚未给南大光电贡献营收。

该公司在公告中表示,ArF光刻胶产品与客户的产品销售与服务协议尚在协商之中。

“尤其是ArF光刻胶的复杂性决定其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险,不仅需要技术攻关,还需要在应用中进行工艺的改进、完善,这些都会决定ArF光刻胶的量产规模和经济效益。”

深交所互动易截图

最近三年净利润增速骤降

在ArF光刻胶贡献收入前,南大光电营收来源主要包括MO源产品和特气产品。

2020年半年报介绍,MO源系列产品是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料,在半导体照明、信息通讯、航空航天等领域有极其重要的作用。

而电子特气是“集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、LED、太阳能电池、光纤等电子工业生产中必不可少的基础和支撑性材料”。

今年5月,南大光电董事长兼总经理冯剑松在业绩说明会上称,该公司将力争实现“MO源全球第一,电子特气国内一流,193nm光刻胶成功产业化”。

上半年,南大光电特种气体业务营收1.88亿元,同比增长274.15%;MO源产品实现营收0.68亿元,同比下滑23.55%;两项业务占比分别为 71.73% 、25.82%。

事实上,最近几年,南大光电特种气体业务持续增长。2017-2019年分别贡献0.36亿、0.78亿、1.64亿元的收入,营收占比也从20.16%增长至51.82%。

与此同时,该公司的MO源业务并不太稳定,2018年产量和销量均创 历史 最好水平后,2019年该业务销售收入下滑2.87%。

2017年以来,南大光电整体营收呈增长态势,从1.77亿元增长至2019年的3.21亿元,净利润从3384万元增长至5501万元,但净利润增速从348%骤降至7.36%。

“i问财”截图

扣除非经常性损益后,南大光电2017年-2019年的净利润分别为0.2亿元、0.37亿元、0.368亿元。而登陆创业板之前的2011年,该公司还实现扣非净利润1.76亿元,是去年扣非净利的近5倍。

同期,南大光电研发投入分别为3844万元、3735万元、6585万元,占营收的比重分别为21.69%、16.37%、20.49%,占净利润比重分别为114%、73%、120%。

今年前三季度,南大光电营收大幅增长96.15%,归母净利润增长97%,但主要是出售北京科华股权等带来的非经常性损益大幅增加。

当季,该公司扣非后净利润下滑84.84%,该公司称主要是摊销股权激励成本、研发费用投入及奖金计提增加所致;经营活动产生的现金流量净额同比下滑189.52%,主要是政府补助款较上年减少及本期拨付前期收到的项目经费给联合单位所致。

三季度财报截图

本文系观察者网独家稿件,未经授权,不得转载。

7nm!国内半导体关键材料再获突破!芯片光刻胶已验收

近日,南大光电发布公告称,其承担的国家02专项ArF光刻胶项目取得重大进展,并且通过了专家组验收。目前已建成年产25吨的ArF光刻胶产业基地,可用于90nm-14nm,甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。

众所周知,光刻胶是芯片制造不可或缺的重要原料,是光刻机进行硅膜片曝光、设计图案印章的核心材料。ArF 光刻胶材料主要应用于高端芯片制造,目前我国在ArF、KrF光刻胶领域中的市场占比较少,全球大多数的光刻胶市场都被美国、日本垄断。

对于国产半导体行业来说,南大光电7纳米光刻胶的交付,具有十分重要的意义,一方面能够缓解我们在半导体领域中,特别是芯片代工领域中,被芯片原料卡脖子的难题;另一方面有助于加快我们在芯片代工领域中实现自给化目标的脚步。

需要注意的是,有关 7 纳米 ArF 光刻胶的应用,南大光电目前只是小规模投产,与之相关的生产线正在构建当中。在公告中,南大光电也表示,ArF 光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险,不仅需要技术攻关,还需要在应用中进行工艺的改进、完善。

但不管怎么说,这次南大光电完成7纳米光刻胶的验证,对于自身,对于国产半导体行业来说是一件好事情。至少可以保证我们不会在光刻胶领域中被国外彻底卡住,相信只要坚持下去,假以时日,一切难题都会迎刃而解。