; 在新能源飞速发展和产品智能化的大背景下,高科技进入蓬勃发展阶段,所有高科技产品最不可或缺的核心部件就是芯片了。作为以智能手机为主要业务的
华为
,对芯片的需求量更是巨大。
大家都知道生产芯片最重要的器械就是
光刻机
,但由于受到来自
漂亮国
的制约,“实体清单”规则被修改后,
ASML
因为生产光刻机的技术有一部分来自于漂亮国,受此影响,连带着芯片代工厂也无法为华为公司提供芯片代工服务。
华为现在最先进的芯片是采用台积电5nm工艺制作的
麒麟9000芯片
,但随着“限制令”的制约,
麒麟9000
芯片的库存正在一天一天减少,在无法获得5G芯片的情况下,华为只能采用
高通
的4G芯片,没有
5G
芯片的支持,华为的5G手机只能当成4G来用,也因此,华为的手机业务受到了重创。
事实上,不仅是华为,我国其他高科技企业现在都处于“缺芯”状态。如果要解决“缺芯”难题,首先我们就要解决光刻机的自产自研问题。
中科院
立功了
为了实现我国高端光刻机的国产化,中科院长光所、上光所联合光电研究院在2009年,启动了“高NA浸没光学系统关键技术研究”,进行高端光刻机的攻坚。该项目于2017年在长春国科精密验收,曝光光学系统研发核心的骨干人员也在同年间转入长春国科精密继续钻研光刻机技术难题。
在此之后,国望光学引入
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
,以及
上海光学精密机械研究所
推动国产光刻机核心部件生产。在2016年,国望光学研发出90nm节点的ArF投影光刻机曝光光学系统,之后将继续向28nm节点ArF浸没式光刻曝光学系统研发进攻。
长春国科经济在2018年也传来好消息,攻克了高NA浸没光学系统的关键技术研究。这也是我国实现完全拥有自主知识产权的高端光刻机曝光光学系统的标志。这些成就的达成都离不开中科院的技术支持,可以说中科院立了大功了。
为什么要花费那么大的精力去研发曝光光学系统呢?这对光刻机的制造很重要吗?这我们就要从光刻机的工作原理说起了。光刻机又叫掩模对准曝光机,它的工作原理简单地说类似于照片冲印的技术。
光刻的过程就是在制作好的硅圆晶表面涂上一层光刻胶,然后通过紫外线或深紫外线透过
掩膜
版,把上面的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上,在
光刻胶
的覆盖下,这些被光线照射到的部分会被腐蚀掉,而没有被照射到的部分就会被保留下来,形成我们所需要的电路结构。所以曝光系统可以说是光刻机的核心组成之一。
国产光刻机正式传来好消息
根据国望光学在发出的公示,
投影光刻机曝光光学系统将应用于28nm芯片的批量生产当中。
在这之前,我国只能制造出用于90nm制程的光刻机,但随着这两项技术的突破,我国对于28nm光刻机制程实现了突破性的进展。
28nm芯片有着比90nm芯片更加优越的性能,用途也更加广泛,尤其是对于新能源产业,如新能源汽车或者智能家居产业填补了对于28nm芯片缺失的空缺。
此外,根据媒体消息,上海微电子也做出披露,在2021到2022年将会交付出第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机。这表明我国完全能实现28nm芯片自由。拥有完整的知识产权和自主产业链,就无畏海外市场在芯片上对我们“卡脖子”了。
虽然28nm芯片已经能满足大部分的生产需求,但是对于华为这些手机厂商和其他一些国产芯片来说,28nm的精度还是不够用的,接下来我国的下一步目标便是进行5nm制程光刻机的攻克,手机对于芯片的精度要求要更高,所以目前我国还是不能停下研发的脚步。
虽然目前我国还没研发出5nm制程的光刻机,但已经可以制造出5nm制程的刻蚀机了,这对于我国芯片发展也是一个鼓励性的好消息。
成果是喜人的,但如果拿来与世界上最先进的7nm制程光刻机比的话还是远远不够的,国产化光刻机的道路还要走很远。
上海微电子装备有限公司的步进式扫描光刻机吧,估计是中国最先进的了。
SSA600/20 步进扫描投影光刻机采用0.75数值孔径和四倍缩小倍率的ArF投影物镜、工艺自适应调焦调平技术,以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术,实现可用于前道IC制造90nm关键层和非关键层的先进光刻设备。此外,该设备通过采用多种可供选择的先进专利照明技术,并配合其他分辨率增强技术,能够满足客户高于90nm分辨率的生产需求。该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产。
本人亲自用过,号称能有90nm分辨率但是实际使用情况看2um还是能达到的。6寸、8寸、12寸都能生产,人际界面良好,效率还算可以,跟国外同类型机器相比故障率稍高。
长春中科院在光刻机技术上面获得巨大突破,目前来说芯片制造仍然是我们的卡脖子问题,其实短时间内难以突破完成自主,这也是事实,目前来说整个芯片制造生产相关技术,我们自己的国产化不到50%,也就是说目前半导体领域产业链,我们还是非常依赖进口技术设备。
很多人都说芯片这个最主要的问题在光刻机,这个其实也没有错,但是也是并不完全对,光刻机是半导体芯片领域的最重要的环节之一,我们目前来说芯片领域的问题其实并不只是卡在光刻机技术上面,很多人都认为我们把光刻机技术攻克了,我们就可以完全实现自主化,这个说法有点草率了。
光刻机是我们众多难题里面的一个,其实其他的难题还在努力解决,不说其他就说硅片平面打磨技术我们都还是靠进口设备,这些只是被光刻机技术难题掩盖了而已,绝大多数人根本不知道这些,不过光刻机技术的确是我们目前最头疼的问题,也是最想要快速解决的问题,光刻机技术的难点在于四大方面。
第一方面就是光源系统,第二方面就是光学镜头系统,第三点就是双工平台系统,第四就是EDA系统,这四个只要有一个做不好,那么基本上就是达不到想要的成果,荷兰阿麦斯光刻机之所以能独霸,原因就在于它的十万个零件有欧美日韩等几十个国家共同提供,也就是说几乎是世界上科技最发达国家都加入了进去,并不是单独一个国家的水平。
我们国家之所以短时间难以突破,原因还是在于我们一个跟几十个较量,所以难度可想而知是什么样子的,知道这些了以后就不会觉得我们的科学家不够努力了吧,毕竟全世界没有哪个国家能单独生产出来高端光刻机,美国不行日本不行德国不行英国不行法国同样也不行,意大利荷兰更不可能,我们正在做他们做不到的事情。
虽然说我们现在的最先进的二十八纳米技术光刻机还在实验室里面,并没有真正的下线进入市场,主要的原因其实还是在精密度以及稳定性方面迟迟没有获得突破,虽然说过去几年陆陆续续都报道出来一些关键技术的突破,现实却是这些技术突破还在实验室里面,并没有真正的运用到实践当中,离真正运用到光刻机上面还有不少的时间。
这次长春突破的技术是光刻机关键技术之一,这种技术就是物镜系统里面的光学投影物镜制造,这个技术其实就是最关键技术之一的镜头物镜折射,用德国科学家的说法就是,这个镜头的镜片平面的平整度非常光滑,打一个比方就是把镜片放大到面积100平方公里 平整度需要保持在十厘米误差以内的平整度,可想而知难度有多高。
这次长春光机突破的这个技术就是这个了,镜片上面的突破,可以说光刻机最难的难点之一已经解决的时间不会太久,加上我们国家的光源系统稳定性也是非常好的,所以现在的两个核心问题技术获得突破,这个是可喜可贺的,但是也要明白突破并不代表已经完成,只是说技术突破离实际运用还早。
以我们这些年了投入跟技术突破,我们的光刻机很多技术已经得到解决,但是想要真正达到最先进水平并且用到生产上面,短时间内几乎不可能,按照现在的技术突破速度,我们想要达到先进水平,十五年内很难,因为这是一个产业链,并不是单独的某一样设备问题,整个产业链技术的提升才会真正帮助我们在光刻机在半导体领域获得全面突破达到自主话先进水平,所以说单独技术突破值得高兴,但是还是要认清现实需要更加努力,全方位努力才可以,不能偏科。
国产光刻机中端水平。
中国光刻机产品研究已经达到了“中端水平”。国产DUV光刻机产品很快就能成批推出、规模采用,据报道上海微电子研发出的28纳米国产光刻机整机已经安排生产,再过一两年一定能用于国产芯片的生产。
我国光刻机现状:
我国光刻机最高技术仍旧是上海微电子研究所的90nm工艺,它的SMEE200系列光刻机、300系列光刻机、500系列光刻机、600系列光刻机只能够达到90nm工艺水平。而像江苏无锡影幻半导体公司、合肥芯硕半导体公司都只能够拥有200nm工艺的光刻机量产能力。
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