华为在芯片上全面提速,光刻机到位就是新的开始
华为在芯片上全面提速,光刻机到位就是新的开始,,余承东都表示,海思麒麟芯片或无法生产制造,没有进入重资产的芯片制造领域内,这是一个错误。余承东宣布全面进入芯片领域后,还在芯片领域内做出不少大动作,
华为在芯片上全面提速,光刻机到位就是新的开始1
都知道,在华为高端设备以及5G等设备上,华为往往都采用自研芯片。
例如,在5G模块产品上,华为采用自研的巴龙芯片;在中高端手机上,华为采用自研的麒麟芯片;路由器等设备则采用凌霄系列芯片。
但是,华为只做芯片设计研发,并没有进入重资产的芯片制造领域内,所以海思芯片订单几乎都是交给台积电代工生产。
意外的是,美国从2019年开始,多次修改规则,导致台积电也不能自由出货了。
随后,余承东都表示,海思麒麟芯片或无法生产制造,没有进入重资产的芯片制造领域内,这是一个错误。
另外,余承东还宣布,华为全面进入芯片领域内,还要在新材料和终端制造方面实现技术突破。
余承东宣布全面进入芯片领域后,还在芯片领域内做出不少大动作,任正非走访国内高校,并与中科院进行合作,将光刻机作为优先突破的课题;
华为还多次明确就海思表态,不会放弃海思,也不会裁员,将持续养着海思这个队伍,对其没有盈利要求,期待一个更强大的海思归来。
最主要的是,有消息称,华为正在筹建芯片生产线,不仅要自主研发芯片,还自主生产制造芯片。
因为华为海思芯片订单,目前没有厂商敢接,即便是40nm以上的芯片都不行,而联发科、高通等芯片企业目前也均没有拿到向华为出货5G产品的许可。
在这样的情况下,华为在芯片上全面提速,做出两个大动作。
第一个,华为海思再次进行博士招聘,面向全球招聘芯片类博士,主要涉及芯片研发设计、架构研发以及光电芯片封装等几十个岗位。
从华为海思的招聘信息就能够看出,在芯片方面,华为正在全力突破,而突破点主要是芯片架构、新材料以及光电芯片等。
毕竟在硅芯片方面,全面突破难度有点大,但在光电芯片以及新材料方面,华为相对容易一些,毕竟这两者都是全新的技术,不涉及美国技术。
第二个,消息称华为正在武汉筹建晶圆加工厂。
据悉,华为宣布全面进入芯片领域后,就有消息称,华为欲建设自主芯片生产线,而最新的消息称,华为正在武汉筹建晶圆工厂,预计在2022年 分阶段投产。
另外,消息人士还称,华为武汉工厂前期仅用于生产光通信芯片和模块,后续将会逐渐扩产,投资可能是18亿元。
其实,国内院士早就明确表态,新一代国产光刻机下线后,国内1-2年时间就能够建成28nm芯片生产线。
因为国内已经有了用于14nm芯片生产线的倒片机、用于5nm芯片生产线的蚀刻机,今年年底或明年年初,新一代国产光刻机下线后,三大设备就齐全了。
也就是说,华为利用国产设备建设自主芯片生产线,这也是情理之中,毕竟华为已经宣布全面进入芯片领域内,芯片自研自产自然也是必然的事情,否则还会被卡脖子。
当然,华为芯加速的同时,国内芯片产业也在快速进步。
据悉,国产28nm芯片预计在今年年底量产,而国产14nm芯片预计在明年年底量产,而国内芯片需求主要就是14nm以上。
即便是在EUV光刻机等技术方面,国内厂商也不断有新技术突破,多项光源技术在理论上取得了突破。
写在最后,无论是华为自主筹建芯片生产线,还是等待国产芯片量产,对于华为而言,都能够解决一部分芯片问题。
毕竟除了手机外,其它物联网产品所用的芯片往往都是14nm以上。
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华为在芯片上,所以遇见的问题,在很大程度上反映的是国产芯片的现状,在这样的前提之下,很多企业开始不断打破极限,希望能够在这个紧要关头帮助华为渡过难关,同时也能够避免在将来自己被卡脖子。
伴随着国内半导体迎来黄金半爆发时期,国内不断传出破冰的消息。可是要知道,目前全球智能手机市场竞争非常激烈,从最初到现在九个月的时间内,华为的手机业务几乎已经陷入到一种极致的困境之中,即便是此前曾经从台积电预先储备过麒麟9000到现在也基本上已经用完了,所以中国芯片未来的发展,虽然充满了希望,可是目前华为似乎已经等不及了。
最近有消息传出华为将要发布的p50系列智能手机,搭载的是高通骁龙888芯片,但知道一直以来华为的高端旗舰机搭载的`都是自己的麒麟系列芯片,从海思麒麟到高通骁龙,这足以说明目前的华为究竟有多么无奈,虽然大多数网友都不能够接受,但无奈这也是华为不得已之下才做出的选择。
搭载高通芯片并非妥协
那么搭载高通芯片是否就意味着华为已经妥协了了呢?其实并非如此,华为采用高通的芯片,一方面是为了延续自己的手机业务,希望能够让市场知道华为依旧在发布手机,保持一定的市场热度。
另一方面也是希望自己的手机业务一起,其他的业务能够共同发展下去。最重要的是为了鸿蒙能够继续发展下去,要知道,目前鸿蒙刚刚上线,对于鸿蒙而言,生态的建设非常关键,如今各大友商都处于一种观望的态度,如果想要提升鸿蒙的适配量,那么就必须从自身的品牌入手。而鸿蒙的崛起,将会成为华为打败美的筹码。
如果鸿蒙真的突破了16%的份额,那么就意味着华为的手机业务已经延伸到海外,到那个时候,今天是美国在实施打压,但也不能够阻挡华为的发展。再加上如今华为的确是面临着无芯可用的窘境,高通能够恢复部分供应,对于华为来讲是一个好消息。
目前,华为方面爆料出了一个重磅消息,表示最近华为海思正在放出一项新专利,名为双芯叠加,就是将两颗代表不同性能的14纳米芯片结合在一起,完全能够形成一个足以媲美7纳米性能的芯片。
这种双芯叠加的技术能耗不会因为芯片的增多而增多,反倒是会因为两颗芯片的结合而减少,这也就意味着只要我们能够实现14纳米的量产,那么这种双芯叠加就能够带领我们真正进入到7纳米时代之中。
可以说如今国内在各大领域以及各种设备材料之中,都已经实现了一定的国产化,除了光刻机之外,我们都足以能够做到严格的自给自足,即便现在因为设备没有具体突破得到消息,但是相信上海微电子已经确定年底之前下线时用的国产28纳米光刻机,足以能够与阿斯麦的duv光刻机箱媲美,如今华为要做的就是等到光刻机就位,而光刻机的就位就是华为的一个新开始,代表着华为迎来了重生。
1.现在国内的光刻机能达到多少纳米的技术?
官网显示,目前最先进的光刻机是600系列,光刻机中最高的生产工艺可以达到90nm。然而,与荷兰ASML公司拥有的EUV掩模对准器相比,它可以通过高达5纳米的工艺制造。而且3nm工艺制作的芯片即将上市。不过根据相关信息,预计中国首款采用28nm工艺的国产浸没式光刻机即将交付。虽然国产光刻机和ASML的EUV光刻机差距还很大,虽然起步晚,但是中国人的不断努力还是会弯道超车的。
第二,国内公司能否自主采购EUV光刻机来解决这种情况?
答案是否定的,要知道华为缺芯是美国的阻碍,国内公司更不可能轻易买到高端光刻机自己制造芯。虽然ASML也是通过采购世界各地的优秀零件来补上最终的光刻机,但是没有任何零件可以避开美国的核心技术,所以美国不会为了控制中国的发展而轻易让中国购买光刻机。
做一个优秀的光刻机,要做很多艰苦的工作,不仅要达到美国光源和德国镜头的高水平,还要有很多精密的仪器。光刻机任重道远!这些精密仪器的背后,也需要更多的人才、研究技术、时间投入和技术积累,也需要大量的资金。我相信中国会克服这个困难,不再受其他国家的限制。
作为被卡脖子的技术,国产光刻机一直以来都非常受市场的关注,这两天有消息称,上海微电子推出了新一代的光刻机,这篇文章就跟大家聊聊。
上海微电子装备有限公司坐落于张江高科技园区内,邻近国家集成电路产业基地、国家半导体照明产业基地和国家863信息安全成果产业化(东部)基地等多个国家级基地。公司成立于2002年,主要致力于大规模工业生产的投影光刻机研发、生产、销售与服务,公司产品可广泛应用于IC制造与先进封装、MEMS、TSV/3D、TFT-OLED等制造领域。
公司拥有一支500多人的多学科、高技术的人才队伍和完善的产品开发手段和设备,以及支撑微电子装备研发的光学、机械、电气控制、微环境等多学科软硬件测控技术平台,可进行集成电路关键设备—光刻机的设计、制造集成、测试和工艺试验,技术涉及光学、结构、动力学、精密运动和控制、软件工程、精密测量、微环境控制等众多领域。
据介绍,上海微电子此次推出的新品光刻机主要应用于高密度异构集成领域,具有高分辨率、高套刻精度和超大曝光视场等特点。
上海微电子称,该封装光刻机可帮助晶圆级先进封装企业实现多芯片高密度互连封装技术的应用,满足异构集成超大芯片封装尺寸的应用需求,同时将助力封装测试厂商提升工艺水平、开拓新的工艺,在封装测试领域共同为中国集成电路产业的发展做出更多的贡献。
在我国国内主攻光刻机的企业就是上海微电子,上海微电子主要致力于光刻机的研发。让我们在光刻机领域重新看到希望,虽然相比国外的光刻机我们还是落后的,但是这一利好消息也大大说明了在光刻机方面上海微电子已经取得了突破性的进展。这为我们日后的自研芯片提供了保障。
综合以上信息,上海微电子推出光刻机是非常值得大家关注的一件事,虽然这是封装用的,但是说明我们在这个领域又有了新的突破,希望这篇文章能给大家带来帮助!
中国的光刻机现在达到22纳米。在上海微电子技术突破之前,我国国产光刻机还停留在只制造90nm芯片的阶段。这一次中国从90nm突破到22nm,意味着光刻机制造的一些关键核心领域实现了国产化。掌握核心技术的重要性不言而喻。突破关键区域后,高阶光刻机的RD速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁,成功研发22nm光刻机。中国芯逐渐崛起。随着信息社会的快速发展,手机、电脑、电视等电子设备变得越来越“迷你”。从以前的“手机”到现在只有几个硬币厚的时尚手机,从老式的矮胖电视到现在的轻薄液晶电视,无一不离开集成电路的发展,也就是我们通常所说的“芯片”。自从1958年世界上第一块集成电路问世以来,体积越来越小,性能却越来越强。光刻机是半导体芯片制造行业的核心设备。以光刻机为代表的高端半导体设备支撑着集成电路产业的发展,芯片越来越小,集成电路越来越多,可以把终端做得小而精致。2002年,光刻机被列入国家863重大科技攻关计划,由科技部和上海市共同推动成立上海微电子设备有限公司(以下简称“SMEE”)。2008年,国家启动了“02”重大科技项目,持续攻关。经过十余年的研发,我国基本掌握了高端光刻机的集成技术,部分掌握了核心部件的制造技术,成为集光学、机械、电子等多学科前沿技术于一体的“智能制造行业的珠穆朗玛峰”。
国产光刻机中端水平。
中国光刻机产品研究已经达到了“中端水平”。国产DUV光刻机产品很快就能成批推出、规模采用,据报道上海微电子研发出的28纳米国产光刻机整机已经安排生产,再过一两年一定能用于国产芯片的生产。
我国光刻机现状:
我国光刻机最高技术仍旧是上海微电子研究所的90nm工艺,它的SMEE200系列光刻机、300系列光刻机、500系列光刻机、600系列光刻机只能够达到90nm工艺水平。而像江苏无锡影幻半导体公司、合肥芯硕半导体公司都只能够拥有200nm工艺的光刻机量产能力。
国产光刻机任重道远。“即使你给图纸,你也做不出一个光刻机。”“就算全国都发展半导体制造,也很难成功。”ASML掌门人、TSMC创始人张忠谋在过去两三年里不止一次公开表示,中国大陆自己无法成功制造光刻机。实际上,严格来说,位于荷兰的ASML公司(ASML)是世界上唯一一家可以生产光刻机的公司,但它只是一家组装公司。大量核心技术来自美国,在ASML的供应链中也有中国公司,如傅晶科技和沃尔特天然气公司。实际上,在光刻机成品方面,上海微电子自2002年成立以来,一直牢牢扎根于低端光刻机市场,90nm及以下工艺的产品一直在稳步出货。公开数据显示,2018年上海微电子出货量约为50-60台,约占大陆市场的80%。所以,以上两人的论断要加上一个前提条件,那就是“先进制造工艺”的光刻机。我们常说的高级芯片是指生产工艺小于28nm的芯片,也就是28\14\7\5\3nm的工艺。这次上海微电子在光刻机举行首个2.5D/3D高级封装交付仪式,标志着中国首个2.5D/3D高级封装在光刻机正式交付给客户,但对于我们目前的卡顿芯片制造来说,只是暗夜中的烛光。“1”和“0”的故事虽然近年来“光刻机”屡见报端,但很少有人提到光刻机主要分为“前路、后路、面板”三类。卡脖子的是前路光刻机,这次上海微电子发布了光刻机。如果把芯片制造比作食品生产,前面的路就是“食品”本身,后面的路就是包装袋。面板制造属于平时想不起来的“调味品”,但它的缺失会直接打击消费者的味蕾,给数字生活调味,因为面板是C端用户最“触手可及”的。因为没有驱动芯片,无论是前端还是后端芯片,C端用户都很难对芯片性能有直观的体验。但是,无论包装和调味品对食品有多重要,如果没有“食品”本身,它的价值就是“0”。所以要想充分体现后通道和面板芯片的价值,首先要有性能优异的前通道芯片。在以前的光刻机制造中,其实光刻机并不是按照“NM”的个数来分类的,而是按照光源的波长来分为436nm光源的“g线光刻机”;具有365纳米光源的“I线掩模对准器”;具有248纳米光源的“KrF掩模对准器”;193nm深紫外光源的“DUV光刻机”;以及13.5nm极紫外光源的“EUV光刻机”,也是目前卡脖子的主打产品。目前上海微电子的产品技术已经触及ArF技术和相应的光刻胶。目前,国内公司如上海新阳、通成新材料、南大光电、景瑞股份有限公司等都已开展研发和生产。其中,南大光电旗下的ArF光刻胶已于2020年底顺利通过客户验证,是国内首个通过产品验证的国产光刻胶。
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