光刻胶生产流程（光刻胶生产线）

想请问一下这个光刻工艺流程该怎么绘制呢？

光制工艺主要少骤

1.基片前处理

为病保光制胶能唱圆表面很好精贴，形成发平滑日始合得很好的限，必频通行表而准备。保持表国干燥且干净.

2.涂光刻胶

途胶的目标是在品园表面建立薄的。均匀的，并且没有有缺陷的光刻胶膜。

3.前烘(软烘烟)

招款的目的是去险教层内的清外。提商光制胶与村庭的枯用力及收股的几械拖伤能力。

4.对准和攀光(AE)

保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的确对准。a时准。以及光制胶上精确的阳形尺

寸的形成。所以，海好光起胶后，第一步是把所明用在品园表而上准确定恒或对准，第二步是通过曝光将图开压转移到光划胶涂层

5.显影

显都是精把掩限版图案复制到光划胶上。

6.后炽(坚服)

为了保证下一道刻蚀经显影以后的胶凰发生了软化。物服，胶膜与硅片衣面粘附)热发济利以而化充划散，工序化顺利进行。

7.刻法.

刻性是通过北创胶基端区城来去排中品圆最表层的工艺。主要标是将光刘掩膜版上的图案精晓地转移到品属求面。

B.去除光刻胶

刻蚀之后，国案成为品质最表层永久的一部分.作为利国档层的光则胶层不再需要了。必须从表面去掉。

简述光刻的工艺过程（步骤）

1. wafer 表面处理；

2. 旋涂光刻胶（包括抗反射层）

3. 前烘；

4. 曝光；

5. 后烘；

6. 显影，有的需要在显影前进行坚膜；

7. 刻蚀

试述光刻加工的主要阶段

涂胶，曝光，显影。

涂胶又分HMDS，Coat，Softbake三步，显影分PEB，Develop，Hardbake三步。

连续喷雾显影/自动旋转显影。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100～500rpm）。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。

扩展资料：

决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；

影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。

一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。

参考资料来源：百度百科-光刻