可以生产9nm的芯片。
22nm光刻机最高能生产7nm的芯片。22nm光刻机也就是duv光刻机,通过技术手段比如多次曝光可以制造出7nm芯片。最先利用duv光刻机制造出7nm芯片的是台积电和三星公司,也是目前全球可以做到7nm量产的两家公司。像英特尔和中芯国际也可以用22nm光刻机制造7nm芯片,不过良品率有待提高。
; 国产芯中国“芯”!如果没有华为在通信科技领域的异军突起直接威胁到西方发达国家的核心利益,美国也不会如此丧心病狂的用一个国家的力量对付一个企业,当然我们老百姓也不会去关注芯片这个原本属于科技领域的事情。如今在中国的大街小巷和餐馆排挡,要说什么话题最火,那莫过于“华为5G”和“芯片”这两个话题了。
人们除了惊讶于我国的科技水平居然已经达到了这种地步的时候,也在为我国什么时候才能突破高端芯片的技术封锁而着急。毕竟我们很多人都知道,我国在错过了第一次、第二次工业革命之后,就落后挨打了两百多年的时间,所以每人都都很清楚下一波工业革命的重要性。恰好华为5G的全球领先让我们看到了中国不仅能够赶上第四次工业革命,甚至很大程度上还有引领第四次工业革命的可能,每个人都兴奋不已。
但是目前,我们不得不认识到我国在半导体集成电路方面还和西方发达国家及企业有着不小的差距。在这个节骨眼上,偏偏美国又开始歇斯底里的打击中国科技企业,企图拖慢整个中国的半导体领域发展进程,因此我们很着急,我国何时才能突破芯片的技术封锁呢?
当然,着急是不解决任何问题的,如果着急有用的话,还要那些科研工作者和科学家干什么呢?我们一方面在着急的同时,也得清楚的认识到,即便在西方国家合力封锁我国芯片技术的背景下,我国自己的科技企业,还是取得了突破性的研究结果。
比如我国现有享誉世界的北斗全球定位导航卫星,其中所用的三号芯片现在已经成功的打破了22nm的上限,上海微电子也在当前大背景下加班加点的研制出了能够生产22nm的光刻机。这个消息让全国的科技圈都十分的振奋。
国产光刻机突破22纳米,差距还很大,为啥科研人员如此兴奋?
有不明所以的网友会比较好奇,现在全球最顶尖的芯片是5nm制程技术,甚至连3nm制程的也已经在研发设计中,为什么我们才刚刚到22nm就让国内科研人员异常兴奋呢?原因其实很简单,打个比方在你极度饥饿的时候,别说给你一桌山珍海味了,就是给你一个平淡无奇的白面馒头你都能吃的津津有味!
在上海微电子技术取得突破之前,我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻,在突破关键领域以后,更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁,成功研制22nm光刻机,中国芯正在逐渐崛起。
与此同时,西方发达国家的硅基芯片的制造已经接近了物理极限,“摩尔定律”正在逐渐的失效,我国的芯片技术又在不断的突围。此消彼长之下,我国芯片制造能力追平世界领先水平也只是时间问题而已,更何况我国也在同步研究更加具有竞争力的“碳基芯片”,如果一旦研制成功,我们甚至都不需要再依赖光刻机,那么西方国家的封锁手段也会随之土崩瓦解。
所以,我们不能只是干着急,对于我国的芯片领域发展,还是要充满信心的。
光刻制程本身就是一种多重配套制造流程,包括多重黄光和光胶,脱离以及再生过程等等,需要芯片设计软件搭配。
如果芯片设计上以28纳米光刻设备配合适当的14纳米缩影光罩和胶片缩影,还有所有配套齐全时,(非行业内人士很难理解光罩的作用)代用实验制程但非14纳米量产制程,可以在部分芯片的电路位置做出14纳米的线路,但不能量产和非全面的14纳米制程。
光刻机发出的光用于通过带有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光。光刻电阻的特性在看到光后会发生变化,从而使掩模中的图形可以复制到薄片上,使薄片具有电子电路图的功能。这是光刻的功能,类似于照相机摄影。相机拍摄的照片打印在底片上,而照片不被记录,而是电路图和其他电子元件。根据网上资料显示,一台光刻机一天大约可以有效制造600块左右,一年就可以制造差不多21.9万块芯片。
光刻机为什么会如此的重要?
目前,无论是手机芯片、汽车芯片还是其他领域,包括军事、航空航天等应用,芯片都离不开光刻。现在世界上的芯片仍然是硅基芯片。经过近半个世纪的发展,芯片的关键尺寸逐渐缩小,从最初的电子管到晶体管,再到集成电路的发明。目前,我们仅有的技术是光刻技术。因此,如果没有光刻机,芯片就无法正常制造,目前也没有替代光刻机的产品。
一台光刻机有多难造?
光刻机的制造难度非常大,可以说一台光刻机用到的零部件全是各个国家最先进的技术产品。那我们就拿EUV的光刻机举例,有几吨重的镜头,而且还要确保无杂质,拥有纳米级别的分辨率。如果镜头有任何缺陷都是不可接受的,而且镜头的曲率非常薄。第二个困难在于光源,这很难做到。还必须考虑通过每个镜头和光路的光的折射损失,并且可用于光刻的能量非常小。
中国能否自己造一台光刻机?
光刻机在全世界非常稀有,发达国家为了阻止中国发展,禁止出售光刻机到我们国家。但是,近几年我国的科学家和政府都在加大在光刻领域的研究,而且也取得了一些进展,也开始进行国产光刻机的制造。但是尽管我们国家这么努力,但对比asml的光刻机技术,可以说我们连门槛都还没有摸到。不过唯一值得庆幸的事是,国家已经注意到了光刻机的重要性,开始在资金,人才,政策方面给予了大力的扶持。我相信未来我国的光刻技术一定会实现弯道超车。
一台光刻机可以制造很少的芯片。相信大多数人都清楚,光刻机的用途是刻字。光刻机是生产手机芯片的重要机器之一。目前,只有少数国家可以生产光刻机,只有荷兰ASML公司可以生产高精度光刻机,而且荷兰ASML公司垄断了全球高精度光刻机80%以上的市场份额。目前,一台光刻机的成本高达上亿美元,而一台光刻机一年的产能最多只有几台,光刻机是目前世界上最尖端的设备技术之一,而一台7纳米的光刻机价格非常昂贵,价格高达1.2亿美元,甚至1.2亿美元的光刻机,也是供不应求。
据悉,华为的麒麟990流片的成本号称高达3000万美元,相当昂贵。不过,经过验证和流片等一系列过程,一旦芯片能够投入试产和量产,整体就会稳定下来。光刻机巨头,目前是ASML,负责全球大部分光刻机的订单。但即便如此,资料显示,ALSM在十年间只生产了57台光刻机。不难看出光刻机对技术的要求有多高。值得注意的是,57台光刻机中的30台被台积电以每台约10亿元人民币的价格售出。换言之,台积电仅在光刻机上就花费了300亿美元。在荷兰的垄断下,10亿台光刻机,当年能生产多少芯片?
据相关数据显示,目前ALSM提供的摄影机的理想产能为每小时200片12英寸晶圆,其中大部分处于理想产能的50%。以华为的9905G芯片为例,其总面积为113.31平方毫米,那么一块12英寸晶圆可以提供约600块原材料,除去一些不好的和质量差的,约500块。因此,如果你看一下,那就是每天50万个芯片,一台平版印刷机一年可以生产大约1.8亿个。因此,价值10亿美元的光刻机是值得的。
据中芯国际透露,我国自主设计制造的14纳米级芯片已经成功量产,其产能已经接近满载,这意味着,我国研发的14纳米级芯片成功获得大量订单。
众所周知,在芯片的研发领域,中国起步较晚,综合实力落后于美国、韩国等。近年来,国内芯片企业不断探索、引进先进的技术和科技人才、投入大量资金等,最终传来喜讯,中芯国际14纳米级芯片成功量产。
据了解,中芯国际的14纳米工艺距离全球最先进的7纳米只落后两代。国信证券认为,大陆芯片设计公司寻求大陆代工是必然趋势。而作为大陆半导体代工龙头,中芯国际产能充足、产线多样。
适合众多芯片代工需求。以14纳米工艺的流片对于中芯国际是一个良好的开局,从风险量产到规模量产,目前总计已有超过十个客户采用中芯国际的14纳米工艺。
扩展资料
中芯国际芯片制造工艺从28nm到14nm用了4年时间。在2019年年底才正式量产14nm芯片,中芯国际芯片制造的主要任务是提高14nm产能。5月中芯国际官方表示已经实现6000晶圆/月。为华为麒麟710A处理器代工完全可以胜任。
美国高盛公司发布信息预测中芯国际未来的技术升级路线。高盛认为中芯国际到2022年芯片制造工艺可升级到7nm,到2024年下半年工艺再次升级至5nm,2025年毛利率将提升到30%以上。
高盛作为一家知名的投资公司,得出一份投资预测报告自然不是一件难事。但在当下就中美半导体的合作情况,这样的预测或许更让美国再次深度向我国的科技企业施压,设置更多的非商业性障碍。
不过话说回来,高盛的预测也存在许多不确定因素。即使中芯国际能如期实现5nm芯片的制造能力,假如其它半导体设备、材料、技术还不能摆脱美国限制或没有有效的措施应对美国,也很难为我国的高科技企业服务。自然中芯国际的盈利能力也存在不确定性。
中芯国际是我国实现高端芯片极为重要的一环。中芯国际处在半导体产业链的中游,受上、下游产业链的影响。能不能为我国高科技企业服务,还受美国“实体名单”的影响。
中国“芯”不仅是缺少一台光刻机,也不仅是缺少中芯国际5nm芯片的制造工艺。芯片涉及的设计、材料、工艺、设备、相关技术都是缺一不可。美国也正是利用整个产业链的优势地位,对我国高科技企业进行技术限制。
中芯国际作为芯片制造中最为重要的一环,在美国的影响下,能否摆脱美国的限制在于中国半导体产业生态系统的自主能力。半导体产业生态的完整性、可持续性的形成,才是企业稳健发展的关键。总之一句话,中国芯片是一个团队,不是单枪匹马。
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